刘 敏 黄静雯 楚士晋 彭汝芳

(西南科技大学四川非金属复合与功能材料重点实验室-省部共建国家重点实验室培育基地 四川绵阳 621010)

新结构InN纳米材料的CVD生长

刘 敏 黄静雯 楚士晋 彭汝芳

(西南科技大学四川非金属复合与功能材料重点实验室-省部共建国家重点实验室培育基地 四川绵阳 621010)

采用化学气相沉积法在p型硅衬底上制备具有纤锌矿结构的不同形貌的InN纳米材料，通过扫描电子显微镜和X射线衍射分析了InN纳米材料的形貌、元素组成及晶体结构，发现该材料具有纳米线、纳米叶、纳米项链3种结构，其中纳米叶是InN中的一种新型结构材料，且未见报道。能谱扫描检测确定氮铟原子质量比约为1:1.07。在室温下光致发光谱的测试中，经计算可得InN纳米材料的带隙为0.725 eV，同时InN纳米叶的发光强度优于纳米线与纳米项链，表明新型纳米叶结构具有更优异的光学性能。

化学气相沉积法 InN纳米叶 晶体结构 光致发光谱

近年来，Ⅲ族氮化物材料由于其独特的光学和电学特性[1-5]，已成为国内外研究的热点。与其它同族氮化物相比(如GaN，AlN等)，InN材料的禁带宽度较窄(室温下禁带宽度在0.7 eV左右)，且具最小电子有效质量、最高电子迁移率以及最高饱和漂移速度等优点，预示着其在高速场效应晶体管、近红外到深紫外的光电器件以及太赫兹源等方面具有巨大的潜在应用价值[6-9]。目前要成功制备InN纳米材料，甚至获得高品质的InN纳米材料还存在许多挑战，主要是由于材料本身的低分解温度和高饱和蒸气压[10]使得制备过程难度大大增加。……