崔海波，梁 庭，熊继军，喻兰芳,王心心，王涛龙

(中北大学，仪器科学与动态测试教育部重点实验室,电子测试技术国防科技重点实验室,山西太原 030051)



碳化硅ICP刻蚀速率及表面形貌研究

崔海波，梁 庭，熊继军，喻兰芳,王心心，王涛龙

(中北大学，仪器科学与动态测试教育部重点实验室,电子测试技术国防科技重点实验室,山西太原 030051)

SiC材料由于其高的禁带宽度(2.3～3.4 eV),10倍于Si的击穿电压而越来越受到重视，尤其是在高温环境中，是制作高温器件的理想材料。但同时由于SiC的高硬度，化学性质稳定，使得SiC的加工也变的较为困难。刻蚀作为加工SiC的理想手段运用也越来越广泛，文中就此展开研究，详细研究ICP刻蚀过程中各参数对其刻蚀速率及表面形貌的影响，对加工SiC具有一定指导意义。

ICP 刻蚀速率；刻蚀形貌；碳化硅

0 引言

近年来，如何在高温恶劣环境中进行压力测量越来越受到人们的重视，而目前应用最广泛的硅基压力传感器由于其自身材料的限制，而无法作为高温压力传感器的制作材料。于是人们把目光投向了最有希望的耐高温材料碳化硅。碳化硅相对于硅而言，其禁带宽度是硅的3倍，击穿电压是硅的10倍，同时具有耐高温、耐高压和抗辐射的特点。所以，以碳化硅为材料的器件更为适合在高温恶劣环境中应用。但是，由于碳化硅具有很高的硬度和化学稳定性，使得碳化硅的加工也变得十分困难，目前，对碳化硅进行体加工的方法包括：电化学腐蚀、激光刻蚀、超声加工、熔盐冲刷或等离子体刻蚀[1]。……