秦圆圆 (国家知识产权局专利局专利审查协作江苏中心,江苏 苏州 215163)

1 化学机械抛光起源

化学抛光，表面完美性好，但是平行度、平整度、抛光一致性差；机械抛光一致性、材料表面平行度好，但是粗糙度较大；而化学机械抛光集化学抛光和机械抛光的优点，既能够获得较完美的表面，又可以得到较高的抛光速率，是能够实现全局平坦化的唯一方法。

化学机械抛光技术（CMP，化学机械平坦化，化学机械研磨），80年代末源于IBM公司，最早是由IBM在1991年在64Mb⁃DRAM的生产中获得成功的应用，从90年代开始进入量产，具有成本低、方法简单等优点，而且该方法能够使晶片表面真正的实现平坦化，并几乎可以用于对所有的表面材料进行加工，因此在工业界得到了广泛认可，世界各国和地区都对此项技术进行研究和开发，并且该行业呈现出了较强的竞争势头。

与传统的纯机械或纯化学的抛光方法不同，CMP技术是通过化学的和机械的组合物技术，通过两者技术相互结合避免了由单纯机械抛光造成的表面损伤，利用了磨损中的“软磨硬”原理，即用较软的材料来进行抛光以实现高质量的表面抛光，将化学腐蚀和机械磨削作用达到一种平衡。化学机械抛光是在一定压力下及抛光浆料存在下，被抛光工件相对于抛光垫做相对运动，借助于纳米粒子的研磨作用与氧化剂的腐蚀作用之间的有机结合，在被研磨的工件表面形成光洁表面。

图1 化学机械抛光设备图

2 影响抛光效果的因素

2.1 抛光压力、流速、抛光盘转速、抛光头转速

抛光压力对抛光速率和抛光表面质量影响较大，是抛光工艺中的一个重要参数。……