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基于深亚微米工艺长互连线延迟优化的设计方法研究

2015-05-29李仁发徐实赵振宇王耀刘畅胡逸騉

湖南大学学报·自然科学版 2015年4期

李仁发 徐实 赵振宇 王耀 刘畅 胡逸騉

摘 要:随着SoC方法学的使用,集成电路越来越复杂,设计规模越来越大,连线延时已经成为影响时序收敛的关健因素之一.本文提出了一种基于物理设计的长线互连优化方法,即优化关键单元的布局,并选取、增、减repeater来优化时序.本方法根据单元间的位置测定单元间距,指导设计中需要插入的repeater位置及数量.长互连延迟的优化效果与所使用的单元、插入单元的间距、选用的线宽等影响因素有密切关系.28 nm工艺下,在间距200 μm~250 μm时插入8倍驱动(×8)规格的反相器(缓冲器)时效果最好.其次,将互连线上的缓冲器换成反相器, 互连延迟能降低10%.第三,使用更宽的走线能使长互连线延时再降低20~30 ps.

关键词:物理设计;预布局;长线优化;EDA;优化时序

中图分类号:TP302.4 文献标识码:A

随着集成电路工艺的进步,高性能处理器的设计规模已超过10亿晶体管,更多的物理资源,更高的器件密度导致后端物理设计变得越来越复杂,时序收敛成为高性能处理器实现的关键节点[1].在深亚微米工艺中,互连线延时与单元延时在整个电路延时中严重影响着时序的收敛,如何优化长线时序是当前的研究热点.

当前,互连线延迟优化方法的研究工作主要面向自动化工具建模.文献[2]提出了一种在EDA工具中使用基于预布局的时序优化方法,但是这种方法纯粹依赖EDA工具进行时序优化很难达到预期的效果,经常需要对关键路径进行手动修改.文献[3]从3D IC设……

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