张小祥，颉芳霞，刘 正，郭总杰，袁剑峰，邵喜斌

（1.北京京东方显示技术有限公司，北京 100176；2.江南大学 江苏省食品先进制造装备技术重点实验室，江苏 无锡 214122）

1 引 言

随着薄膜晶体管－液晶显示器（TFT－LCD）的发展，液晶产品的竞争越来越激烈，各个厂家开始开发新技术来占领市场。GOA（Gate driver on Array）技术是将栅极驱动器集成在玻璃基板上，形成对面板的扫描［1－2］。由于其低成本、低功耗、窄边框等优点，逐步成为各个厂家研究的新方向［3］。在GOA技术的发展过程中，大多主要集中在驱动电路方面的研究，来解决大尺寸与高分辨率应用方面的问题［4－6］，而关于GOA产品制造过程中的不良鲜有文献报道。

作为另一种新技术SSM（single slit mask）技术，由于窄沟道、高开口率等优点，也逐步应用在各个产品中［7］。SSM技术与GOA技术的结合使用能得到更窄边框的产品，但是在array制作过程中 GOA区域容易发生ESD （Electro－Static discharge）、沟道桥接（Channel Bridge）与沟道开裂（Channel Open）等不良，严重影响产品的良率。本文主要针对8.5代线中GOA产品制造过程中Array工艺出现的主要不良进行分析与改善。

2 GOA单元ESD不良

2.1 现象描述

在4次掩膜板干法刻蚀工艺中，在GOA区域发生严重的ESD现象，所有面板的发生率为5.4%，主要集中发生在整张玻璃基本的中心区域，中间面板的发生率为95%，严重影响产品的良率。如图1所示，GOA单元连线处的金属由于ESD的发生被熔化，导致GOA单元失效。

图1 GOA单元ESDFig.1 GOA Unit ESD

2.2 分析与验证

图2和图3分别为GOA区域发生ESD的俯视图和三维图像，从图中可以看出，由于ESD的发生，1处位置的金属线已经被熔化，2处位置的有源层被击穿。……