刘斌 杨建辉

(西北大学化学与材料科学学院 合成与天然功能分子化学教育部重点实验室 陕西西安710069)

化学气相沉积(CVD)技术是利用气态的先驱反应物，通过原子、分子间化学反应的途径生成固态薄膜的技术，具有沉积温度低、涂层质量均匀、绕镀性好以及膜基结合力强等优点;而且工艺简单、操作简便，在功能膜材料制备领域广泛采用［1-2］。CVD大多是在相对较高的气压下进行的。高压有助于提高薄膜的沉积速率。在用CVD法制备薄膜时，一般会有相应的辅助手段来促进化合物分解，加快化学反应。根据分解方式和辅助技术的不同，CVD法可分为:射频等离子体增强化学气相沉积法(RF-PECVD)、微波等离子体增强化学气相沉积法(MW-PECVD)、金属-有机化学气相沉积法(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition简称MOCVD)，进而又演化为超声雾化等离子体增强化学气相沉积法等方法［3］。利用化学气相沉积法制备薄膜所需要的原料主要是溶解于醇类的配位化合物，或者是其他可溶性的有机盐;用到的载气有N2、Ar等。

CVD法沉积薄膜，其质量通常与沉积条件密切相关。主要影响条件包括:工作压强、气体流量、激发功率、衬底温度、气体激发状态，以及沉积所选择的基片。

金属-有机化学气相沉积又称为MOVPE(Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy，金属有机气相外延)，它是1968年由美国洛克威尔公司的Manasevit等人提出的制备化合物半导体薄片单晶的一项技术。具有下列特点:1)外延层的组分、导电类型、载流子浓度、厚度等参数可控性好;2)需要控制的参数少，有利于批量生长;3)有利于生长异质和多层结构;4)外延生长速度可控，适合于工业化的大批量生产。……