【摘要】MOSFET是电气系统中最基本的部件之一，能否正确的使用MOSFET对整个设计是否成功起着关键的作用。本文通过对MOSFET的类型特点进行研究，对其测量方法、应用领域及其使用注意事项进行详细介绍。旨在使初学者或非专业人员使用时，能针对特定设计正确的使用MOS型场效应管，以便更好的服务社会。

【关键词】场效应晶体管；集成电路

引言

随着现代技术的发展，新材料、新元器件、新集成电路不断涌现，MOSFET凭借其低功耗、性能稳定、抗辐射能力强等优势，在集成电路中已经有逐渐取代三极管的趋势。MOSFET是电场效应控制电流大小的单极型半导体器件，其输入端基本不取电流或电流极小，这就使得MOSFET电路具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好、制造工艺简单、功率损耗小等特点。但是MOSFET种类繁多且非常娇贵容易受电击穿而损坏，如何使用成为初学者面临的难题。

一、MOSFET特性及分类

MOSFET是英文Metal-Oxide-Semico-nductor Field-Effect-Transistor的缩写，即金属氧化物合成半导体场效应晶体管。它属于绝缘栅型，是电压控制电流的器件。虽然种类繁多，但它们都是以半导体的某一种多数载流子（电子或空穴）来实现导电，所以又称为单极型晶体管。

MOSFET从半导体导电沟道类型上分为P沟道和N沟道；从有无原始导电沟道上分为耗尽型和增强型。所谓增强型是指：当VGS=0时管子是呈截止状态，加上正确的VGS后，多数载流子被吸引到栅极，从而“增强”了该区域的载流子，形成导电沟道。耗尽型则是指当VGS=0时即形成沟道，加上正确的VGS时，能使多数载流子流出沟道，因而“耗尽”了载流子，时管子转向截止。……