刘昊轩+杭凌侠+薛俊

摘要： 采用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）技术制备的光学薄膜，其均匀性受到多种工艺参数的影响，在这些参数中，一类是沉积过程的工艺参数；另一类则是设备结构参数，设备结构参数决定着反应腔室内气流分布、以及电场分布等。通过改变沉积过程的工艺参数和一组正交试验，分析各个工艺参数对均匀性的影响，从而改善氮化硅薄膜均匀性。

关键词： PECVD； 光学薄膜； 均匀性

中图分类号： TN 304文献标志码： Adoi： 10.3969/j.issn.10055630.2014.04.019

引言随着真空镀膜技术的发展与广泛应用，对光学薄膜均匀性的要求也越来越高。任何一种有实际应用价值的薄膜都对膜厚分布有特定的要求，除了少数特殊场合外，绝大多数情况下都要求薄膜厚度尽可能均匀一致。薄膜均匀性的优劣直接影响到各个光学设备的稳定性和可靠性，同时也对产品的一致性以及器件的性能有着非常重要的影响。薄膜均匀性是衡量薄膜质量和镀膜装置性能的一项重要指标，其在光学、光电等器件的加工工艺中起着重要作用[13]。薄膜厚度的均匀性是指同基片单位面积上只能存在允许范围内的膜厚误差分布，以此保证膜系光学特性不会随表面位置而变化[4]。研究膜厚均匀性对生产型的企业来说具有重要的实际应用价值，优良的膜厚均匀性意味着可以实现产品单批次产量最大化提高一次合格率，可以降低生产成本实现利润最大化，有利于公司的发展和提高公司在光学制造行业的竞争力[5]。……