熊礼威，崔晓慧，汪建华，翁俊，龚国华，张林

（1.武汉工程大学材料科学与工程学院，湖北武汉430074；2.湖北省等离子体化学与新材料重点实验室（武汉工程大学），湖北武汉430074；2.广东生之源数码电子股份有限公司，广东佛山528234）

单晶硅表面磁控溅射铜栅极

熊礼威1，2，崔晓慧1，2，汪建华1，2，翁俊1，2，龚国华1，2，张林3

（1.武汉工程大学材料科学与工程学院，湖北武汉430074；2.湖北省等离子体化学与新材料重点实验室（武汉工程大学），湖北武汉430074；2.广东生之源数码电子股份有限公司，广东佛山528234）

晶硅太阳能电池表面的导电栅极主要用于输出电能，若其与基体间的附着力较差，将会极大地降低电池元件的稳定性和使用寿命，而与其他制备方法相比，物理气相沉积法具有可控性好、成本低等优势.为了继承物理气相沉积法的相关优势，同时能够使铜栅极与基片之间具有良好的附着力，利用磁控溅射法在单晶硅上进行铜栅极的制备实验，研究了磁控溅射过程中溅射功率和工作气压等参数对最终制得的铜栅极附着力的影响.采用超声震荡加强实验检测铜栅极的附着力，使用金相显微镜观察铜栅极的整体形貌及断线率，通过扫描电子显微镜观察铜膜的表面形貌.结果表明在溅射功率为180W，工作气压为0.8 Pa的条件下制备的铜栅极线宽更为均匀，且进行加强实验后断线率为0.

单晶硅太阳能电池；铜栅极；附着力

0 引言

1954年美国贝尔实验室成功研制出第一块单晶硅太阳能电池，开启了人……