李承蓬　许维胜　王翠霞

摘 要： 在此通过对带隙基准电压源电路进行建模分析，针对逆变电路的中低频使用环境，设计了一个应用于高压逆变器电路中的高电源电压抑制比，低温度系数的带隙基准电压源。该电路采用1 μm，700 V高压CMOS工艺，在5 V供电电压的基础上，采用一阶温度补偿，并通过设计高开环增益共源共栅两级放大器来提高电源电压抑制比，同时使用宽幅镜像电流偏置解决因共源共栅引起的输出摆幅变小的问题。基准电压源正常输出电压为2.394 V，温度系数为8 ppm/℃，中低频电压抑制比均可达到-112 dB。

关键词： 高电源电压抑制比； 带隙基准； 基准电压源； 低温度系数； 一阶补偿

中图分类号： TN432?34 文献标识码： A 文章编号： 1004?373X（2014）06?0132?04

0 引 言

基准电压源模块因其输出稳定，与电源电压、温度等变化无关，广泛应用于模拟和数模混合电路中，例如A/D，D/A转换器，逆变器等[1]。应用于高压逆变器中的基准电压源，为其他模块提供偏置电流和作为比较器等的基准电压使用，对此要求其在温度和电压变化的时候仍能保持其输出电压稳定，否则会引起电路出现逻辑混乱，使系统不能正常工作，甚至发生过压击穿等事故。这样在高压中低频环境下需要一个有良好温度系数和高电源电压抑制比的基准电压源的重要性就不言而喻。

传统的基准电压源在0～70 ℃的温度范围内产生温度系数为1×10-4[/°C]的基准电压，电压抑制比在-80～

-70 dB，且随着频率升高在103 Hz左右迅速下降，难以达到逆变器电路要求。本文采用……