新产品与新技术（87）

New Product & New Technology (87)

半加成法中化学镀铜介质表面低粗化度处理

安美特日本公司介绍高密度PCB制作中采用半加成法（SAP）时，以一种“Initiator”化学液处理绝缘介质表面，得到的表面粗糙度低而与化学镀铜层结合力高。用Initiator化学液的表面处理过程：向基板喷淋Initiator化学液，浸透绝缘层树脂，促使后续使绝缘层均匀蚀刻；烘干基板，去除板面化学液的溶剂成分，并促进化学液与绝缘层的反应；经过高锰酸盐溶液，氧化反应去除环氧玷污；再经高锰酸盐溶液，去除二氧化锰层。

进行评价试验，用同样的环氧树脂基板进行半加成法制作线路图形。基板树脂表面粗糙度测定平均为63 nm，化学沉铜前按常规去玷污处理后表面粗糙度平均为140 nm，用Initiator化学液处理后表面粗糙度平均为82 nm；经过化学镀铜1 µm和电镀铜30 µm，进行剥离强度试验，常规处理的为0.67 kgf/cm，Initiator处理的为0.77 kgf/cm。显然，Initiator处理的表面粗糙度小而抗剥强度大。而且，对于盲孔孔底的去玷污处理比较，新化学液处理效果比常规高锰酸盐液处理效果好，孔底干净。

（电子实装学会志，2014/01）

激光开槽法制作精细线路

现在PCB细线路形成技术以半加成法（SAP）为主流，其中突出的有绝缘树脂表面低粗糙度与化学镀铜结合力问题，图形电镀铜均匀性和快速蚀刻精度问题。而有一种避免这些问题的方法是采用激光开槽法制作精细线路。此工艺步骤为：（1）PCB芯板层压绝缘介质层；（2）激光加工在绝缘介质层形成线路图形槽和孔；（3）去玷污和化学镀铜，整个板面金属化；（4）全板电镀铜，下凹的槽和孔都填满铜；（5）蚀刻去除板面铜，仅槽和孔留有铜成为导线和导通孔。此过程特别注意的是电镀铜填充槽和孔，填充铜.充分而表面铜平整与尽量薄。激光开槽法可制作10 µm ～ 8 µm精细线路。

（电子实装学会志，2014/01）

100GbE高速传输印制板用覆铜板

Isola集团是用于先进多层电路板的覆铜板（CCL）和绝缘半固化片市场领导者，宣布推出Tachyon-100G层压板与半固化片，能够达到传送100千兆位以太网（100 GbE）的线卡需要，每通道数据速率超过25 Gb/s。Tachyon-100G与此前的Tachyon®有相同的电气特性，在40 GHz下Dk 3.0和Df0.002，而Z轴热膨胀系数（CTE）比Tachyon®小30%，它更适合于制造高层数板，具有2盎司厚铜的内层和0.8 mm节距的线卡。

例如，由金像电路用Tachyon-100 G基材为IBM制作的背板，有12 GHz传输的带状线，有效的损耗因数（Df）0.0045。所用半固化片有S3（高树脂含量43%）和S6（低树脂含量37%），比松下的Megtron 6基材更好。Tachyon-100G的PCB也适应可靠地进行无铅装配。例如，一款24层板，有4层铜厚68.6 µm（2盎司）的内层，及0.8 mm节距BGA和0.5 mm节距散热孔，它能经受6次288 ℃热应力（TS）试验，回流焊260 ℃6次。

Tachyon-100G基材具有聚四氟乙烯（PTFE）类同的电气性能，而具有FR-4类同的PCB加工条件，它的层压周期产能可增加50%，可不需要等离子体去孔壁钻污，可以实现总成本显著降低。

（pcb007.com，2014/06/26）

新的LED芯片封装基板使用3M无胶基材

3M电子材料公司发布一种新的铜聚酰亚胺基板，用于无胶粘的LED芯片安装。这项新的设计是将LED芯片直接安装在一个大面积铜导体的聚酰亚胺框架上。这由铜和聚酰亚胺基板替代陶瓷基板，并能满足大功率LED芯片的电气性能和热性能。基板可以是平面状态和卷曲形式，可用于引线键合倒装芯片连接。基板与LED组装不需要粘接剂，避免使用更高的温度和潜在的热阻隔问题。这种新基材也适合成卷式制造，符合LED降低成本的要求。

（pcdandf，2014/06/09）

直接电镀制作陶瓷基散热印制板

作为LED载板的基材有金属基板和陶瓷基板，陶瓷（氧化铝AI2O3）基板也可采用直接电镀铜（DPC）工艺制作印制板。其工艺流程：裸陶瓷基板钻孔、表面与孔壁金属化（产生金属种子层）、贴干膜和曝光显影形成图形、图形镀铜和镀铜填孔、去膜与蚀刻得到线路图形。此工艺类似于半加成法，省去覆铜箔陶瓷基板及可得到精细线路。

（工业材料， 329期2014/05）

（龚永林）