索晓楠，李剑峰

（1.机电动态控制重点实验室，陕西 西安710065；2.西安机电信息技术研究所，陕西 西安710065）

0 引言

砷化镓半导体激光器由于具有质量轻、体积小、输出峰值功率高等特点，被作为激光源广泛应用于激光引信中［1］。目前在室温下，大功率脉冲砷化镓半导体激光器只能以低重复率（几百千赫兹到几十千赫兹）脉冲工作。激光引信中通过脉冲激光发射系统产生脉冲信号来调制半导体激光器发射光脉冲，这就要求脉冲信号脉宽不能大于控制半导体激光器发光的开关元件的最大持续导通时间。而在激光引信样机的研制过程中，一般使用直流电源为脉冲激光发射系统提供电能。对于要求持续发光时间不超过1ms的激光器而言，直流电源在上电时会伴随产生浪涌电流，导致了脉冲激光发射系统在上电瞬间产生脉宽大于1ms的宽脉冲，极易毁伤砷化镓半导体激光器。针对既要消除激光引信发射系统上电宽脉冲又要满足引信使用的小型化和低成本的问题，本文提出了消除激光引信上电宽脉冲的小型化低成本方法。

1 上电宽脉冲的产生及常用消除方法

引信是引爆战斗部的关键部件。炮弹上使用激光引信可以提高炮弹引信的定距精度和抗无线电干扰能力，但炮弹引信的消耗量较大，这就要求其造价要低。同时在炮弹上分配给引信的空间通常比较小，这也就同时要求引信的体积要尽量小。所以在激光引信系统设计过程中就必须充分考虑到系统的设计成本和其所占用的空间大小。……