■ 尹浩平 邢涛 王学孟 沈辉

(1.中山大学太阳能系统研究所; 2.顺德中山大学太阳能研究院)

0 引言

光伏产业发展迅猛，太阳电池产量快速增长，2013年全球太阳电池产量超过40 GW。大批量晶体硅太阳电池的生产必然存在多种因素，导致部分出现质量问题。据不完全统计，国内晶体硅太阳电池生产企业的次品率约为2%～3%，更有部分正常电池存在漏电缺陷导致效率下降，每年有大量次品太阳电池，造成极大浪费。因此有必要建立晶体硅太阳电池修复中试线，开展这方面的研究工作。

晶体硅太阳电池在进行制绒、高温扩散、丝网印刷、烧结等生产过程中，不可避免地引入一些缺陷，影响晶体硅太阳电池的电学性能[1]。包括隐裂、碎片、断栅、虚焊、黑片、黑芯等，其中以漏电缺陷对晶体硅太阳电池的影响最为严重，但同时也具有很高的修复价值。Breitenstein O等[2]对晶体硅太阳电池缺陷的特征及形成原因进行了分析。挪威InnotechSolar使用多种方法成功地对晶体硅太阳电池的漏电缺陷进行修复，并试图将其推向产业化，推出了多种采用修复电池制作的绿色组件[3]。在第27届欧洲光伏会议上，Schmauder J等[4]提出了采用单一步骤实现太阳电池修复的方法，进一步推动了晶体硅太阳电池修复的产业化进程。我国张陆成等[5]也曾采用补丁法进行修复，即采用截取正常的电池片替代缺陷电池区域的方法来修复太阳电池。

检测方法包括I-V测试、红外成像技术、电致发光技术(EL)、光诱导电流测试技术(LBIC)等主要手段，再加以金相显微镜、光致发光(PL)、QE等辅助检测技术，对晶体硅太阳电池进行检测与评估，如图1所示。……