杨园静，涂洁磊，李 雷，3，姚 丽，4

（1.文山学院 数理系，云南 文山 663000；2.云南师范大学 太阳能研究所，云南 昆明 650092；3.楚雄师范学院 物理与电子科学系，云南 楚雄 675000；4.大理学院 电子工程及自动化系，云南 大理 671000）

在理想量子点生长中，首先，浸润层中出现弹性变形的应力生长，最终形成了共格和无缺陷的小岛，即量子点。影响量子点生长的因素包括环境条件和生长条件。环境条件是指客观的、不可改变的作用，如外延层与衬底晶格常数、超晶格结构、生长台面偏角、衬底掺杂剂等，这些条件决定了生长过程中外延层所受到应变作用，决定了量子点的生长形貌和特性；生长条件主要指生长温度、生长速率、Ⅴ/Ⅲ比和盖层制作等可以调节或改变的因素，它们通过外延层的表面能、扩散能等，实现对量子点生长形貌进行作用［1］。

InAs（InGaAs）/GaA系统中，InAs和GaA的晶格常数分别为6.058和5.653nm，失陪度小于7%，属于典型的SK模式生长。研究表明，外延层InAs受到应变作用，决定了外延层生长从二维（2D）层状生长向三维（3D）岛状生长转变及临界厚度；应力决定了量子点的有序生长；还决定了从岛状无缺陷生长到出现缺陷生长的应力积累过程，最终产生缺陷，以释放应力，转变为多晶生长。

量子点生长中，外延层生长所受应变作用十分复杂，导致量子点的形貌各不相同，应变作用贯穿了生长的整个过程。外延层对量子点应变作用调节，主要通过两方面来实现：调节生长面，改变对侵润层生长面应力；生长时，调节应变层In和Ga的组分，通过改变晶格常数，调节对外延应力。……