许 帅，徐 政，吴晓鸫

（中国电子科技集团公司第58研究所，江苏 无锡 214035）

1 引言

LDMOS（Lateral Double-diffused MOSFET）因其理想的开关特性和较高的击穿电压，被广泛地应用于P、L、S波段的功率器件中[1]。场板是高压LDMOS设计中常用的一种终端技术，LDMOS加场板的目的主要是为了提高器件的击穿电压和降低反馈电容。在PN结上的场氧化层制备一个场极板结构，场极板产生垂直于表面的电场分布，和漏端产生的电场一起作用，改变曲面部分径向分布的电力线，从而减小了曲面部分的电力线密度，降低了PN结曲面部分的峰值电场强度，进而达到提高耐压的目的[2,3]。

类似于LDMOS的漂移区，场板对其结构以及工艺参数也非常灵敏[4]。研究场板结构的特性以及优化其工艺参数，对提高LDMOS器件的可靠性以及耐高压性都具有极其重要的意义。本文研究了一种硅化钛场板结构的特性，并对工艺参数进行了研究与优化。

2 不同工艺条件下场板特性的研究

本文采用的场板电容结构为Si衬底－SiO2－多晶－硅化钛－金属。针对该结构的特点，分析其不同工艺条件下电容特性、BT CV特性、电阻特性的变化，可以更深入地了解该场板结构的内部性质，从而对工艺进行条件优化，达到产品设计的需求。

2.1 SiO2层制备工艺、多晶层厚度对场板CV特性的影响

2.1.1 样品制备

采用N＜100> 5-9Ω·cm为衬底材料片，分别采用LPCVD与PECVD进行100 nm的SiO2淀积，再完成40 nm与200 nm的LPCVD多晶硅淀积；然后再用PVD淀积金属Ti，金属Ti在RTP退火后生成硅化钛；再完成Al-Si-Cu的金属淀积并刻蚀出测试图形，最后在氧化炉进行N2/H2退火。

2.1.2 测试方法