丁李利 郭红霞 陈伟 闫逸华2) 肖尧 范如玉2)

1)(西北核技术研究所，西安 710024)

2)(清华大学工程物理系，北京 100084)

(2013年5月2日收到;2013年6月4日收到修改稿)

1 引言

空间辐射环境是由质子、电子、重离子等组成的复杂环境，星用微电子器件可能受到总剂量效应、单粒子效应和位移损伤的影响.在地面考核试验中，一般假设不同类型的辐射效应是相互独立的[1,2]，也有大量相关报道研究了不同效应间发生协同影响的可能性.早在1983年，Knudson等[3]首先研究了累积剂量对于动态随机存取存储器(DRAM)器件单粒子翻转敏感性的影响，其测试结果表明，存储值不变的情况下，单粒子翻转截面将随着器件受辐照所累积剂量的增加而减小.令人疑惑的是，Cambell和Stapor[4]等在随后针对静态随机存取存储器(SRAM)器件的测试中发现，随着累积辐照剂量增加且存储值不变的情况下，三类SRAM器件的单粒子翻转截面均表现出增大的趋势.迄今为止，相关测试结论已经屡屡出现，但并没有表现出一致的规律.部分结果表明，当SRAM器件在累积辐照与重离子测试阶段保持相同的存储图形时，对应的单粒子翻转截面将增大[5-8]，甚至增大两个量级[7].另一部分结果表明，只有所存储图形全部改为相反值时，对应的单粒子翻转截面才会增大，否则就会减小[3,6,7,9].其他结果则表明，累积辐照对于某些SRAM器件的单粒子翻转截面不会出现明显的影响[6,7].

针对上述问题，Bhuva等[9]针对大尺寸四管SRAM单元给出了相应的解析分析，其中单纯考虑了累积……