顾汉玉，廖远光

（华润赛美科微电子（深圳）有限公司，广东 深圳 518116）

MOSFET （Metal-Oxide-SemiconductorField-Effect Transistor）是金属-氧化层-半导体场效晶体管的简称，中文简称MOS管，是一种典型的半导体功率器件。随着半导体技术的不断进步，MOS管性能提升明显，应用日益广泛。电源控制和电源转换是MOS管大量使用的一个重要领域，在这类应用中，MOS管通常作为开关使用，导通电阻是最为关键的参数之一，直接影响到应用电路的稳定性。因此，导通电阻的准确测量成为MOS测试的重点。

1 低导通电阻MOS管简介

MOS管按照栅极的功能可分为增强型和耗尽型，按照沟道的材料类型可分为P沟道或N沟道，两种组合起来共四种类型，一般主要应用的为增强型的NMOS管和增强型的PMOS管。与传统的晶体管相比，MOS管具有开关速度快、输入阻抗高、安全工作区大、热稳定性好等优点[1]。MOS管的主要参数有：

V（BR）DS：漏源极击穿电压；

RDS（on）：MOS导通时漏源之间的电阻；

RDS（on）＠ID：漏极工作电流为 ID时的漏源极导通电阻；

ID：最大漏极工作电流；

PD：最大漏极耗散功率。

半导体厂家设计了多种规格的MOS管满足各种不同的应用需求。漏源极击穿电压的范围从几伏到上千伏，最大漏极耗散功率从几瓦到几百瓦，导通电阻从几毫欧到数百欧，设计工程师可以选择合适的型号满足设计要求。

随着半导体工艺技术的不断发展，MOS管的性能不断提升，击穿电压越来越高，导通电阻越来越小，很多产品的导通电阻已经在毫欧的量级（称为低导通电阻MOS管），这对于产品应用非常有利，可以降低MOS管的功耗，实现更大的工作电流，也提高了电路的转换效率。……