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C/SiC复合材料烧蚀机理和通用计算模型研究

2012-11-08国义军桂业伟童福林代光月

空气动力学学报 2012年1期
关键词:复合材料

国义军,桂业伟,童福林,代光月,曾 磊

(中国空气动力研究与发展中心,四川 绵阳621000)

0 引 言

早期战略弹头采用烧蚀防热方案,而临近空间飞行器头部为了保持长时间飞行的气动外形不变,拟采用C/SiC等新型耐高温复合材料作为防热材料。那么这种新型防热材料到底耐不耐烧蚀呢?国内对此还没有进行系统研究。

C/SiC复合材料是由高强度的碳纤维增强SiC基体而成的,其中C和SiC可以有不同的混和比。但目前国内外研究主要是针对SiC基体材料的,对C/SiC复合材料研究的很少。基体SiC根据制备方法不同可分为单晶SiC、化学蒸汽沉积SiC(CVD-SiC)、烧结SiC和热压SiC等,依据晶体结构大致可分为α-SiC和β-SiC两类[1]。晶体SiC的氧化行为具有方向性[2],材料中是否含有杂质对氧化速率也有很大影响[3]。

国外有关研究表明,在温度低于2600℃情况下,SiC的烧蚀取决于氧的分压、表面温度和材料微观结构及成份,可能出现活性氧化和惰性氧化两种破坏机理[4-5]。在低压高温时,呈活性氧化,裸露的SiC与氧气直接反应生成气态产物SiO和CO,反应可能为扩散控制、反应速度控制或混合控制。逐渐增加氧浓度(或分压),在某一状态下,将生成SiO2抗氧化膜,抗氧化膜的存在阻止了氧气直接与表面材料的反应,氧气必须通过扩散穿过抗氧化膜才能到达SiC表面发生氧化反应,这一氧化过程称为惰性氧化。

研究表明,惰性氧化速率主要受控于氧在SiO2抗氧化膜中的扩散,而在不同温度条件下SiO2具有不同的氧扩散机理。(1)温度较低时,SiO2为非晶态结构,高温时呈多晶态结构,结晶态的出现使氧的扩散显著变慢。……

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