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镁掺杂钛酸锶铅钡薄膜的介电调谐性能研究

2012-10-21孙小华李修能

三峡大学学报(自然科学版) 2012年6期
关键词:分析

杨 英 孙小华 李修能 侯 爽

(三峡大学 机械与材料学院,湖北 宜昌 443002)

铁电材料是集铁电、压电、热释电、电光、光折变和非线形光学等性能于一体的多功能材料[1].由于其性质的优越性,铁电薄膜可广泛应用于微电子学、集成光学、微机械等诸多领域[2].SrTiO3,PbTiO3,Ba-TiO3,BST和PST是铁电材料中典型的代表.由于晶体结构相似,BaTiO3,SrTiO3和PbTiO3等铁电体的性能也相似,Ba2+,Sr2+,Pb2+的半径相差不大,所以3者间可以替代形成固溶体且晶体结构不发生大的畸变[3].所以通过溶胶凝胶不仅可以制备BST和PST薄膜,还可以制备PBST薄膜.BST和PST的研究都已经取得了相当大的进展,但国内外对PBST薄膜的研究较少.

研究发现少量掺杂剂可以显著地改变铁电薄膜的介电性能.一些可以占据ABO3钙钛矿结构的B位并且充当电子受主的掺杂剂(如 Mg2+、Ni2+、Fe2+、Fe3+、Mn2+、Co2+、Co3+、Al3+、Cr3+和 Bi3+)已经被用来降低薄膜的介质损耗[4-7].Mg2+由于具有和 Ti4+相近的离子半径,且价位比Ti4+的价位要低,所以在掺杂时将取代钙钛矿(ABO3)结构的B位并充当电子受主掺杂剂[8-9].

本文采用Sol-Gel工艺制备了Mg掺杂的PBST薄膜,研究了Mg掺杂PBST的晶体结构,测试了PBST薄膜的介电性能,并分析了Mg掺杂量对薄膜介电调谐性能的影响及其机理.

1 实 验

1.1 前驱体的制备

采用分析纯钛酸丁酯Ti(C4H9O)4,分析纯乙酸钡C4H6BaO4,分析纯乙酸铅C4H6PbO4·3H2O,分析纯乙酸锶Sr(CH3CO2)·1/2H2O为原料,分析纯冰乙酸C2H4O2和分析纯乙二醇甲醚C3H8O2为溶剂,分析纯乙酸镁Mg(CH3CO2)2·4H2O为掺杂剂,Mg掺杂量x=0,2mol%,6mol%和8mol%,配制溶胶前驱体.

首先,按照(Ba0.5Sr0.5)0.85Pb0.15TiO3公式的组分比例称取纯乙酸铅、乙酸锶和乙酸钡,溶于热的冰乙酸和水中,并搅拌一段时间至全部溶化;……

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