李黎明，尹国福，姚洪志，纪向飞，王静雅

（陕西应用物理化学研究所 应用物理化学国家级重点实验室，陕西 西安，710061）

半导体桥（Semiconductor Bridge，简称SCB）火工品是利用半导体膜（或金属-半导体复合膜）作为发火元件进行引燃、起爆作用的新技术火工品，SCB作为换能元，具有发火能量低、作用时间快、安全性好等特点[1-4]，其具有一定的抗静电、抗射频能力[5-6]。但当 SCB处于强静电、射频环境中时，仍不可避免地遭受到静电与射频的危害。陈飞等人采用绝缘环或者泄放通道的方式研究了半导体桥火工品的防静电和射频技术[7]。穆丽军等人[8]在分析电火工品静电作用机理的基础上，利用瞬态脉冲试验原理研究了ESD对电火工品的性能影响，并指出经过 ESD试验后，电火工品温升值变大，平均作用时间变长，提出了可以用瞬态脉冲试验法检测经 ESD后电火工品的性能变化。常悦等[9]通过测量电火工品桥丝在电磁环境下的温度变化，利用传感器测得桥丝温度与调理器输出的感应电压的关系，测量出桥丝上的感应电压，进而对电火工品进行 ESD的效应评估。国外利用二极管具有箝位电压的特性，或利用集成技术对 SCB芯片进行改进，对 SCB火工品进行了电磁加固。如把齐纳二极管或者双性二极管集成到桥区内[10-12]，带具有非线性电阻或者具有电压保护功能的SCB[13-14]，与微电子电路相连接等方法。本文依据国军标静电测试的规定，实验研究了 SCB在强静电放电脉冲作用下的损伤情况，并针对桥区损伤问题，采用抗静电电容对SCB进行加固并进行实验验证。……