董自凯，王 勇，朱 琪，曹燕杰，吴海宏，张 勇

（中科芯集成电路股份有限公司，江苏 无锡 214000）

1 引言

在IC设计中，提取寄生参数和后仿真是至关重要的环节，特别是随着工艺尺寸的飞速缩减，设计出来的电路性能是否能达到预期要求，往往与电路的寄生参数和后仿真有着非常大的关系。早期较大的工艺尺寸下，寄生参数仅仅作为电路设计的辅助参考，甚至被忽略，是因为在大的工艺下模块单元的延迟远远超过了线的延迟，但是当前在工艺尺寸小于0.35μm以下（包含0.35μm）的CMOS工艺中，寄生参数的提取和后仿真却是必不可少的设计环节。

2 寄生电阻电容提取原理

互连寄生参数包括电阻、电容及电感等电学参数，在上个世纪70年代才逐渐引起人们关注。进入20世纪90年代后，尤其进入深亚微米工艺以后，对此相关的算法研究和软件开发才逐渐活跃起来。在当前较高的电路工作频率下，寄生电容的提取倍受关注，并且其研究成果也逐渐应用到各种后端的寄生效应的分析之中。

对于业界流行的一些寄生参数提取软件，其计算方法根据各自软件设定不尽相同，但他们的主要理论依据是相似的。

2.1 寄生电阻参数

对于电阻的计算方法主要是依据我们熟悉的电阻计算公式：

对于给定的工艺，线高H一般为常量，则式（1）可写为：

其中R0=ρ/H。

电阻提取方式主要是根据版图的有关数据，求出版图中的固有电阻和寄生电阻的阻值。相比较而言，电阻的提取精确度要低一些，这是因为电阻的大小完全依赖于实际掩模版上电阻区域的形状、通孔的形状和位置。……