王广宁，郎 颖，姜威，陈婷婷，张伟光

(哈尔滨师范大学)

0 引言

随着半导体材料的飞速发展，ZnO材料得到越来越多的关注.ZnO是六角纤锌矿结构，其直接禁带宽度为3.37 eV并且有很高的激子结合能(60 mV)，是作为光发射二极管、场效应管、光电检测等方面应用的最佳候选材料.近年来，ZnO 准一维纳米结构，如纳米线［1］、纳米带［2］、纳米管等得到了更多的关注，大量文献报道了多种ZnO纳米结构的电致发光、光电探测、压电效应等特性［3-4］.由于纳米结构材料比表面积较大，所以有很高的灵敏度.正是由于这一点，许多研究者制备了气体传感器［5］、光传感器［6］、湿度传感器、真空传感器［7］.在对真空传感器的研究中，研究者对不同气体环境下的传感器的特性进行了研究［7］，但很少有研究者研究了温度对传感器的影响，特别是高温情况.该文主要阐述了ZnO纳米线的制备及欧姆接触的金属-半导体-金属器件.进一步完成了真空传感器的制备，并对其在不同温度下的特性进行了研究，认为脱附作用之后，温度对ZnO纳米线真空传感器有很大的影响.

1 实验过程

1.1 ZnO纳米线的制备

利用化学气相沉积方法在高温管式炉中制备ZnO纳米线.将ZnO粉放入刚玉舟上置于高温炉内，使其处于最高温度处.以高纯氩气作为载气，单晶Si(111)片作为衬底，使衬底位于刚玉舟的下游.加热，使高温炉升温至1300℃，且在1300℃停留1.5 h后，自然冷却到室温，在此过程中始终保持高温炉内压强为100Pa，氩气流量为200sccm.利用场发射扫描电子显微镜(FESEM，S-4800，Hitachi)对制备的……