王志刚， 夏汉铸

（中山火炬职业技术学院，广东 中山 528436）

0 引言

近年来，随着半导体工艺和电子科学技术的不断进步，闪速存储器的存储容量和读写速度得到了飞速的发展。闪存按其内部结构的不同分为NOR和NAND两种。NOR闪存（Flash）技术是由Intel于1988年首先开发出的，其彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面，日立公司在1989年发表了NAND Flash结构，这种结构强调降低每比特的成本、更高的存储性能，并且能像磁盘一样可以通过接口轻松升级，特别适合大容量文件和数据的存储。相比NOR Flash而言NAND Flash以其高密度、大容量、高数据存储速率以及更多擦除次数等优势，在消费类电子产品、数据采集系统和工业控制中得到了广泛的应用[1-3]。

由于NAND Flash的操作特点是一次只能擦除操作整个物理块，这就导致会频繁的对NAND Flash进行读写操作。频繁地读写NAND Flash势必造成一定量的坏块，坏块是不可擦除或进行写操作的，从而影响整个系统的性能和NAND Flash的使用寿命[4]。为了更有效的进行读写操作进而尽量减少坏块的产生，文中提出了一种访问NAND数据的方法，该方法可以有效提高访问NAND的速度，从而延长NAND的使用寿命。

1 NAND结构介绍

2 数据缓存机制

在用户端和 NAND之间建立一个缓存，用于NAND读写过程中数据的缓存，缓存大小是NAND块大小的整数倍，并以块大小为单位进行管理，当缓存块都被使用后，缓存块申请采用基于“缓存块使用率”高低来决定哪个缓存块被替换，其数据缓存机制机构图见图1。

图1 数据缓存机制结构

缓存机制包括以下几个部分：