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浅谈对集成电路加速寿命试验的认识

2012-09-05颜燕,帅

电子与封装 2012年5期
关键词:工艺产品

颜 燕,帅

(中国电子科技集团公司第58研究所,江苏 无锡 214035)

1 前言

从集成电路(IC)的诞生开始,不断提升产品使用寿命一直是IC设计、制程研究开发和产品生产中的一个重要部分。在系统集成的电子信息时代,几乎所有电子产品都由众多不同种类的IC整合而成,任何一块IC的质量和可使用时间都影响到整个系统的稳定性,甚至对系统造成毁灭性的后果,而使其他原本完好的电路也变成废品。因此,集成电路的使用寿命是产品可靠性最重要的量化特征,体现了IC生产商的核心竞争力。

2 集成电路的可靠性指标

通常用于评价集成电路长期使用寿命的指标为MTTF(Mean Time To Failure,平均无故障时间),另一个常见的单位为FIT(Failure in Time),用于表征集成电路长期失效率,定义为每109元器件-小时(device-hour)所发生的失效数。二者互为反比关系,公式为MTTF=109/FIT。

自20世纪90年代初期亚微米的工艺制程,乃至2000年0.18μm的深亚微米工艺,集成电路不仅在面积上缩小了50倍以上,性能和应用范围也得到大幅提升,尤其是可靠性寿命也提升了一个量级,由数十个FIT达到了数个FIT。

图1 集成电路预计寿命发展图

3 集成电路的失效特征

集成电路的失效率与时间的关系可以用一条浴盆曲线(Bathtub Curve)来表示,见图2。

图2 集成电路失效“浴盆曲线”

大体上,集成电路的失效率分三个阶段呈现不同特征。

3.1 早期失效期

这个阶段产品的总体失效率相对偏高并快速下降,造成失效的原因在于IC设计和生产过程中的缺陷,比如离子沾污等,一般用PPM(Parts Per Million,百万分之一)表示,该阶段器件的失效率与时间的关系符合韦伯分布(Weibull Distribution)。……

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