陈亚坤

（电子科技大学，成都 610017）

陈亚坤（硕士研究生），研究方向为检测技术与自动化装置。

引 言

SRAM有高速和不用刷新等优点，被广泛用于高性能的计算机系统。由于半导体工艺技术的提高以及存储系统多方面的需要，存储器件日益向高速、高集成方向发展，在使系统功能强大的同时，也增加了系统的复杂性，给电路的故障诊断带来了不小的困难［1－2］。由于存储器功能和结构的复杂性，设计者为了正确地处理数据和正常地运行用户的程序，必须保证SRAM单元的寻址、取指令以及计算正确，对程序或数据存储单元的正确操作是很重要的方面，因此保证存储器的正常、稳定工作是系统稳定工作的前提。本文主要是通过对常见的SRAM故障问题的分析，运用March C－算法，以FPGA构建成的SRAM自检测试电路对SRAM系统进行故障检测与修复。

1 故障模型

所谓故障模型，是指为了研究故障对电路或系统的影响，诊断（定位）故障的位置，对故障作一些分类并选择最典型故障的过程。SRAM系统可抽象为一组互联的功能模块，故障在各个模块均可发生。Van de Goor等人［3］将其简化为地址译码器、读写逻辑、存储器单元阵列3部分，并证明前两者与后者的故障在功能上是等价的，所以只需要检测存储单元阵列故障。常见的SRAM故障模型主要分为以下几个类型［4］：

① 固定故障（Stuck－At Faults，SAF）。阵列中的一个或多个单元的一位或多位固定为0或固定为1。

② 开路故障（Open Faults，OF）。阵列中的一个或多个单元开路到0或开路到1。

③ 耦合故障（Coupling Faults，CF）。存储单元中某些位的跳变导致其他位的逻辑值发生非预期的变化，既可以发生在不同单元之间。……