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一种针对GJB181过压浪涌要求的保护电路设计

2012-06-09谢记华王伟晓范景林

电子设计工程 2012年19期
关键词:设备

谢记华,王伟晓,范景林

(洛阳电光设备研究所 河南 洛阳 471009)

随着质量管理理念的不断深入,各行业对标准的符合要求也越来越高,产品出厂前必须通过各项行业标准试验、国军标相关试验等。GJB181-86(被GJB181A-2003替代,但因GJB181-86要求比GJB181A要求更严格,现在很多单位仍在按GJB181进行检测,本文提到的GJB181为GJB181-86)《飞机供电特性及对用电设备的要求》中专门对机载设备的供电种类,供电特性及对飞机上的用电设备提出了专项要求。功率MOSFET及控制电路所组成的保护电路被广泛应用于该要求中,该保护电路可以在电子设备输入电压过高时,把输入电压箝位到一个安全的输入范围内。文中利用MOSFET的这一特性,对满足GJB181中输入28.5 V直流的供电体制的过压浪涌(80 V/50 ms)保护电路进行了设计、分析和验证。并对满足输入115 VAC/400 Hz的过压浪涌 (180 V/100 ms)的设计电路进行了介绍。

GJB181-86中要求过压浪涌时设备不发生任何故障。但对于不同的机载设备,不发生任何故障的定义不同。例如对于一些设备,无故障视为不损坏,但对于一些要求比较高的设备,要求在过压浪涌过程中必须正常工作(例如如军用计算机),以防数据丢失。文中介绍一种可在过压浪涌过程中保证用电设备正常工作的电路设计。

1 MOSFET的介绍

金属氧化物半导体场效应管[1](MetalOxide Semicoductor Field Effect Transistor, MOSFET)。 它是由金属、氧化物(SiO2或SiN)及半导体3种材料制成的器件。所谓功率MOSFET(Power MOSFET)是指它能输出较大的工作电流(几安到几十安),用于功率输出级的器件[2]。

MOSFET 共有 3 个脚,一般为 G、D、S,通过 G、S 间加控制信号时可以改变D、S间的导通和截止。……

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