张怀武，贺 颖，凌味未

(电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室，四川成都610054)

CaCu3Ti4O12/NiCuZn铁氧体基磁电复合材料研究

张怀武，贺 颖，凌味未

(电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室，四川成都610054)

将CCTO(CaCu3Ti4O12)与NiCuZn铁氧体进行复合，系统地研究了组分变化对这种新型磁电复合材料的烧结性能、晶相结构、显微结构和磁电性能的影响。随后，为了实现复合材料的低温烧结以及综合考虑复相陶瓷的磁电性能，选取80%(质量分数，下同)NiCuZn铁氧体/20%CCTO组分，以BBSZ(Bi2O3-H3BO3-SiO2-ZnO)玻璃作为助熔剂，研究了CCTO/NiCuZn铁氧体基复合材料的烧结行为和磁电性能。结果表明，掺杂BBSZ后，900℃下烧结的所有样品的密度均达到了复相陶瓷理论密度的95%，且复相陶瓷的介电常数和磁导率在1～30 MHz范围内均不依赖于频率的变化。在10 MHz的频率下，当BBSZ的含量从0增加到3%时，复相陶瓷磁导率μ从13.2增加到47.9，磁损耗tanδμ从0.022下降到0.017，同时，样品的谐振频率从109Hz左右移动到3.2×108Hz。相应地，复相陶瓷的介电常数ε从9.2增加到16，介电损耗tanδε从0.069下降到0.012。这一优异的整体性能使其有望实际应用。

磁电复合材料;CCTO;NiCuZn;低温烧结

1 前言

随着现代电子信息技术的飞速发展，所用电子元器件逐步向小型化、复合化、轻量化、多功能和高可靠的方向变革，这就对材料提出了新的要求。复合材料常具有电光、磁光、声光及磁电等多功能性，因此引起了人们的广泛关注，在发展多芯片组件和集成器件方面具有极大的应用前景。其中，由于磁电复合材料应用广泛，因此在许多电子器件领域(如:抗电磁干扰滤波器、芯片电感电容的集成等)具有应用潜力，成为了材料领域的研究热点。……