赵玉胜

（电子科技大学 物理电子学院，四川 成都 610054）

微波低噪声放大器作为现代电子通信系统中重要组成器件，对整个通信接收系统的接收灵敏度和噪声性能起着决定性作用。随着半导体技术和宽带无线通信系统的发展，低噪声放大器向着更低噪声系数、更宽工作带宽和更高输出功率方向发展，并逐渐成为设计的热点。因此，研究设计出高性能的低噪声放大器具有十分重要的意义。由于高电子迁移率晶体管具有高频率、低噪声、大功率等一系列优点，所以用pHEMT制作的多级低噪声放大器已广泛应用于卫星接收系统、电子系统及雷达系统。

1 器件选择

本文选择标准元器件库中pHEMT晶体管、电阻、电容和微带线等无源元件作为设计的参数模型进行电路设计。由于电路增益要求大于20 dB，单级pHEMT功率增益在10 dB左右，考虑到工作频率很高，如匹配不当会造成级间损耗比较严重，所以采用二级放大。由于宽带设计，所以重点对这一频段的电路结构和参数进行设计和优化。

宽带放大器的实现方案有多种，如反馈式、分布式、有耗匹配式、平衡式以及近年来出现的级联分布式（CSSDA）宽带放大器等[1]。各种方案有不同的优缺点及其应用场合，因为反触同时获得较宽工作带宽和较好的输入输出驻波比，所以馈式宽带放大器应用较多。但是对于低噪声放大器的设计而言，阻性反馈网络的引入会使噪声系数恶化。由于级联系统的噪声系数主要由第一级放大链路决定，后级的噪声系数对系统的噪声性能影响相对较小。……