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金属有机沉积法制备SrTiO3薄膜

2011-12-28罗清威冉阿倩李凤华李英楠洪成哲樊占国

材料与冶金学报 2011年3期
关键词:生长

罗清威,冉阿倩,李凤华,李英楠,洪成哲,2,樊占国

(1.东北大学 材料与冶金学院,沈阳 110819;2.金策工业综合大学 物理工程研究所,朝鲜 平壤)

金属有机沉积法制备SrTiO3薄膜

罗清威1,冉阿倩1,李凤华1,李英楠1,洪成哲1,2,樊占国1

(1.东北大学 材料与冶金学院,沈阳 110819;2.金策工业综合大学 物理工程研究所,朝鲜 平壤)

采用金属有机沉积 (MOD)法制备了SrTiO3(STO)外延薄膜作为YBa2Cu3O7-δ涂层导体的缓冲层.以乙酸锶、钛酸丁酯为前驱物配制了Sr离子浓度为0.125 mol·L-1的SrTiO3前驱溶液.研究了950℃下不同烧结时间 (90、120、150 min)对在双轴织构的Ni-W(200)金属基带上沉积STO外延薄膜晶体取向和微观形貌的影响.结果表明,在950℃氩氢混合气氛 (Ar-4%H2)下适宜于STO薄膜外延生长的最佳烧结时间为120 min;STO缓冲层薄膜表面平整致密,无裂纹和孔洞,具有良好取向,可作为YBa2Cu3O7-δ涂层导体的缓冲层.

金属有机沉积;涂层导体;SrTiO3;缓冲层;烧结时间

SrTiO3(STO)是一种新兴的多功能陶瓷材料,它具超导性、半导体性、气敏性、介电可调性、热敏性及光敏性,其介电损耗低,色散频率高,可用作压电材料、光电材料、温度补偿电介质材料等.此外,它还可以同其他基质材料混合,以改善应用性能.因此,SrTiO3被广泛地用于制造电容器,半导体等器件,PTC元件,大容量的铁电动态随机存储器等[1~5].

钙钛矿结构的SrTiO3晶格常数为0.3905 nm,与YBa2Cu3O7-δ的晶格失配度仅为2.16%,同时它具有较好的热稳定性,氧扩散系数较小,能够有效地阻挡金属基板中的金属粒子向超导层的扩散和超导层中氧的扩散,不会与超导层及金属基片发生化学反应.Jun-ki Chung等[6]在Ni-W3(摩……

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