朱 筠 李思渊

（1.西安邮电学院电子工程学院 陕西 西安 710121；2.兰州大学微电子研究所 甘肃 兰州 730000）

复合结构静电感应晶体管的终端造型

朱 筠1李思渊2

（1.西安邮电学院电子工程学院 陕西 西安 710121；2.兰州大学微电子研究所 甘肃 兰州 730000）

为了克服几何形状（曲率效应）造成的边角电场对平面扩散结击穿性能的劣化效应，对应于静电感应器件的复合结构，采用限场环与切断环作为终端造型，使结边界处的耗尽层宽度反窄化效应而展宽，以分散电力线并降低表面电场。

复合结构SIT；限场环；切断环

0 引言

静电感应晶体管（SIT）是唯一具有类三级管特性的半导体器件，一般为常开型器件[1－5]。其注入功耗低、功率容量大、工作频率高、热稳定性好、抗辐射能力强，可广泛用于高速、高压、低功耗场合。根据栅体结构、分布和制造工艺的不同，静电感应器件可分为：埋栅、表面栅、复合栅、绝缘盖栅、槽栅和双栅等结构。这些结构的共同特点是都具有垂直沟道，且沟道被栅体环围在中间，源极区和漏极区分别位于芯片的上下两个表面，这种布局有利于高耐压、大电流设计，是电力电子器件通用的布局方式。

复合结构SIT（如图1）的源区（阴极区）由大面积平面扩散方法形成[6]，简化了制造工艺，提高了成品率。兼有表面栅和隐埋栅的特点。复合结构SIT的栅压可正可负，既可以工作在正向导通状态，也可以工作在正向阻断状态。器件可以做成常闭型也可以做成常开型。但由于源（阴）扩散层和栅区以及沟道区存在一定程度的杂质补偿，其主要缺点是栅－源（阴）击穿电压不高。……