马慧荣, 李 梅, 徐清钢, 李文光

(山东轻工业学院 材料科学与工程学院,山东 济南 250353)

聚吡咯具有大共轭双键结构，是典型的导电高聚物。相比于其他导电高分子，聚吡咯具有导电率高、空气中稳定性好、氧化电位低和制备方便等优点，因而其在各种微纳米电子器件中具有潜在的应用前景。

聚吡咯的独特性能与其结构如颗粒的大小、表面形貌和量子效应等有很大关系[1,2]。因此，聚吡咯微纳米结构的合成研究受到越来越广泛的关注。而微纳米有序结构的可控合成依赖于各种合成方法，所以用简单有效的方法控制导电聚合物微纳米结构的形貌和尺寸，使其沿着特定的方向有序生长是这一领域的一大挑战。

目前，主要采用无模板或硬/软模板将聚吡咯的结构控制为纤维状、管状或者颗粒状[3,4]。无模板主要包括界面和分散聚合，现在无模板自主装法合成具有特殊形貌和高导电率聚吡咯成为热门研究[5]；常用的硬模板为多孔膜如Al2O3多孔膜，胶体颗粒聚苯乙烯球等[6,7]；软模板是一些可溶性物质在一定溶剂中形成特定结构来限制导电聚合物有序结构的合成[6]。其中在各种晶体表面合成聚合物正被人们尝试，利用类似于晶体的诱导生长方法，Suarez-Herrera和Feliu[9,10]以水或非水为介质，在铂单晶表面合成出聚吡咯和聚噻吩，铂金表面结构对聚合物的结构起到诱导作用。Sang Soo Jeon等[11]在有机单晶KSBA表面合成出具有类似结晶结构的聚吡咯，其导电率高达400 S·cm-1。

本文以吡咯为单体，FeCl3为氧化剂，在KNO3晶体悬浮液中采用化学氧化法合成了聚吡咯(1),其结构、形貌和电导率经IR, SEM和四探针电导率仪表征。……