艾尼瓦尔·艾买提，帕力哈提·米吉提

(新疆大学物理科学与技术学院,新疆 乌鲁木齐 830046)

克尔透镜锁模固体激光器在半导体吸收中产生亚10fs脉冲理论研究

艾尼瓦尔·艾买提，帕力哈提·米吉提

(新疆大学物理科学与技术学院,新疆 乌鲁木齐 830046)

介绍了连续波克尔透镜锁模固体激光器在半导体饱和吸收体中产生超短脉冲的结果。在考虑吸收体-脉冲相干相互作用的理论框架里解释了超短脉冲的产生。根据耦合广义Landau-Ginzburg方程和Bloch方程对相干吸收体构造了解析模型。研究发现，当KLM不存在时半导体吸收体会产生非2π-双曲正割脉冲的自感应透明，KLM存在时则产生超短2π-双曲正割脉冲，KLM的出现会消除掉吸收体的最小调制度的限制。

超短脉冲激光；固体激光器；克尔透镜锁模；相干半导体吸收饱和

超快激光最近的发展已达到亚10fs脉冲的产生，这接近于光波在可见光和近红外光段的基本极限。现在产生飞秒脉冲激光的基本技术是与间带缓慢饱和或半导体结构中的激发粒子跃迁联合起来的克尔透镜锁模(KLM)。这2种情况下准孤立子的主要贡献是使在最短脉冲持续时间内产生的超短脉冲稳定下来。

半导体吸收体会产生很强的非线性效应[1]，如吸收体线宽的增加、Starc 效应、激光机制的本质上的变化等，这会提高脉冲的稳定性和脉冲压缩，因为超快脉冲的脉冲持续时间等于或小于吸收体的失相时间tcoh，所以要考虑脉冲-半导体相干相互作用。动态增益饱和在激光中产生准相干孤立子很重要[2-3]，相反，在飞秒脉冲固体激光器中动态增益饱和可以忽略，其主要的非线性因素是自相位调制(SPM)和自聚焦。……