直流磁控溅射法制备YBCO超导薄膜研究
2011-09-05王道云赵元黎
电子与封装 2011年9期
关键词:实验
王道云,赵元黎
(郑州大学物理工程学院,郑州 450001)
直流磁控溅射法制备YBCO超导薄膜研究
王道云,赵元黎
(郑州大学物理工程学院,郑州 450001)
文中采用直流磁控溅射法制备了YBCO超导薄膜,研究了镀膜过程中不同的气体总压、氧氩比、薄膜厚度以及退火温度对薄膜性质的影响,通过XRD分析,当总气压为40Pa、氧氩比为1∶2、厚度为1μm、退火温度为800℃时,是薄膜生长的最佳条件。总气压过低,镀膜过程不能进行,气压过高,分子间自由程增加,溅射速率降低;氧氩比较低时,氧离子较少,造成靶材缺氧,镀膜过程不能进行,氧氩比较高时,辉光明亮,对靶材造成损害;随着薄膜厚度的增加,薄膜的005峰半高宽由大逐渐减小,薄膜厚度为1μm时,半高宽最小。退火温度在780℃~800℃之间时,YBCO薄膜005峰的半高宽较小。
直流磁控溅射;YBCO超导薄膜;XRD
1 引言
高温超导材料出现以来,人们逐渐发现由超导体薄膜制作而成的原子层热电堆在激光(远红外至紫外)能量的测定、激光剖面的成像、热辐射探测、毫米波探测等领域有着广泛的应用前景[1]。与传统的探测器相比,激光感生热电电压器件有工作波长宽(从毫米波到远红外到紫外)、无需加偏置电压或电流、响应时间短(从纳秒到皮秒)和能在室温下工作的特点,这些优良的特性受到了人们的广泛关注[2]。
目前制备超导薄膜的方法有很多种[3],例如,脉冲激光沉积法(PLD)、金属有机化合物气相沉积法(MOCVD)、金属有机溶液沉积(MOD)和溅射法等。
溅射法是制备钇钡铜氧(YBCO)超导薄膜的重要方法[4]。……
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