杜红炎，唐 欣，冯建琼，孙淑英

（北京元六鸿远电子技术有限公司，北京 100070）

1 引言

多层瓷介电容器作为基本的无源元件在电子设备中得到广泛的应用，各领域对多层瓷介电容器也提出了不同的寿命要求。特别是军用领域，对于多层瓷介电容器的长期贮存寿命要求不断提高。研究多层瓷介电容器的长期贮存寿命，一直是军用多层瓷介电容器领域的热点。GJB/Z 148-2006《军用电容器的选择和应用指南》中提出了温度对电容器寿命影响的粗略关系：10℃法则。但经典的P-V模型进行加速寿命试验是目前国内外研究电子元器件寿命的主要方法，对于多层瓷介电容器的加速寿命试验的研究也有了很多，本文总结了这些研究成果，对这两种试验方法进行了比较。

2 加速寿命试验是进行元器件寿命研究的常用方法

电子元器件的失效原因与元器件本身所选用的材料与材料之间、元器件表面或体内、金属化系统以及封装结构中存在的各种化学、物理的反应有关。元器件出厂经过储存、运输、使用到失效的寿命周期，无时无刻不在进行着缓慢的化学物理变化。在各种外界环境下，元器件还会承受各种热、电、机械应力，会使原来的化学反应加速[1]。加速寿命试验是指在不改变受试样品的失效分布的情况下，采用加大应力的方法来促使样品在短期内失效，以预测在正常工作条件或储存条件下的可靠性。

对于多层瓷介电容器来说，温度应力对产品寿命（包括储存寿命和工作寿命）的影响关系为：温度越高寿命越短。……