宋 锦

（海军驻北京航天科技集团公司第一研究院军事代表室，北京 100076）

0 引言

半导体器件已广泛应用于航空、航天等军用领域，性能和可靠性要求更高。要保证军用高可靠器件在恶劣的使用环境下长寿命工作，严格的电参数测试必不可少。由于受设备能力、技术水平限制，加上器件规范不完善（特别是一些国产专用器件）等原因，经常因电参数测试覆盖率低引起整机质量问题，必须加强这方面的研究。影响高可靠器件电参数测试覆盖性的因素总体上分为测试项目、测试条件和测试方法3个方面。

1 测试项目分析

即使严格按照器件规范测试，有时仍不能保证器件不出质量问题。如：某国产专用器件接口单元，如图1所示，使用中多次出现故障。器件规范中针对该单元仅有4项电参数：复合放大倍数、击穿电压、输出管饱合压降、输出管漏电流。这仅是复合管的基本参数，非该电路的固有参数，造成测试项目覆盖性低。通过分析线路结构增加了表1给出的测试项目（参数）后，器件再未出现故障。

图1 某国产专用器件接口单元电路图

表1 新增测试项目与作用

1.1 原因分析

通用器件（二极管、三极管、FET管、CMOS、TTL、运放、比较器、ADC、DAC、稳压器等）现已形成了成熟完善的电压测试项目。但对国产专用器件，由于设计师对器件理解、测试知识等存在差异，即便高质量等级器件，规范给出的电参数也往往不全，有时仅为用户的使用指标，非器件固有参数，造成测试项目覆盖性差。

1.2 解决办法

测试工程师是器件规范的第一个用户，应认真核查测试项目，从器件内部线路结构入手，并参考国外类似器件电参数表，保证测试项目能覆盖器件的所有结构、功能和引出端。……