牟婉君，李 梅，蹇 源

（中国工程物理研究院 核物理与化学研究所，四川 绵阳 621900）

探测器的探测效率是表征γ射线照射量率与探测器输出脉冲之间的一重要物理量，在实际测量中，需针对不同的测量条件，如源的形式、几何位置、环境测量等，通过对标准样品的测量得到探测器在此探测条件下的探测效率，这种方法常常昂贵又费时。随着计算机技术的不断发展，蒙特卡罗模拟在计算探测器对光子的探测效率方面大量使用，该方法可实现样品的无源效率刻度，具有节约、简便及准确度高等特点。但探测器的生产厂家难以给出精确的晶体几何参数，同一批产品各探测器间的几何参数差异也较大，这些差异对测量结果的分析有较大影响。为了使蒙特卡罗计算的结果准确，需先对计算模型的关键尺寸进行调整，一般厂家提供的晶体直径与晶体长度宏观可测，因此，认为这两项数值准确合理，不需调整［1－5］。本工作通过实验测量效率与蒙特卡罗方法模拟效率相结合的方法，准确确定HPGe探测器晶体的死层厚度及冷指尺寸，并进行实验验证。

1 材料与方法

1.1 探测器与计算模型

美国ORTEC公司生产的同轴型高纯锗γ谱仪，相对探测效率70%，分辨率（FHWM）1.85keV（60Co，1.33MeV），厂家提供的探测器几何结构及尺寸如下：探测器的晶体尺寸为φ2.96cm×6.77cm，死层厚度为0.09cm，测量的γ射线点源为241Am、152Eu、60Co、137Cs，点源与探测器的轴向距离为20cm，可有效减少符合相加的影响及源位置引起的误差。

1.2 蒙特卡罗方法

实验中采用蒙特……