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基于巨磁阻抗效应磁场测量传感器研究

2011-07-18解伟男梁慧敏

哈尔滨工业大学学报 2011年8期
关键词:磁场效应测量

解伟男,梁慧敏

(1.哈尔滨工业大学 空间控制与惯性技术研究中心,150080哈尔滨,xieweinan@hit.edu.cn;2.哈尔滨工业大学电气工程及自动化学院,150001哈尔滨)

基于巨磁阻抗效应磁场测量传感器研究

解伟男1,梁慧敏2

(1.哈尔滨工业大学 空间控制与惯性技术研究中心,150080哈尔滨,xieweinan@hit.edu.cn;2.哈尔滨工业大学电气工程及自动化学院,150001哈尔滨)

针对非晶材料巨磁阻抗效应,设计并实现了一种新型磁场测量传感器,根据非晶丝的双峰特性,分析传感器的工作原理,设计传感器的闭环负反馈结构,建立了传感器的数学模型.在此基础上,通过分析传感器的误差传递函数,提出一种比例积分控制规律,可有效地消除传感器的稳态误差,提高传感器的线性度.实验结果表明:在该控制器的作用下,传感器的线性度优于0.2%,灵敏度达到1.759 V/Oe,所设计的传感器具有较好的性能指标.

磁传感器;巨磁阻抗效应;非晶丝

高性能的磁场测量要求传感器具有更小的体积,更高的灵敏度,更快的响应速度以及更好的稳定性.而传统的磁传感器,如磁通门传感器、霍尔元件、磁敏电阻、巨磁电阻等都不能很好地满足上述要求,1992年日本名古屋大学的Mohri教授等人发现当具有零或负磁致伸缩系数的CoFeSiB非晶丝通入高频电流时,非晶丝两端感生的电压幅值随外磁场而发生非常灵敏的变化,并把此现象称为“巨磁阻抗效应(Magnet-inductive effect)”[1].巨磁阻抗效应在室温下对弱磁场非常敏感,而且效应显著、响应速度快,巨磁阻抗效应的研究[2-6]以及基于……

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