单晶圆兆声清洗技术研究及兆声喷头方案优化
2011-06-28刘永进杜建科冯小强
电子工业专用设备 2011年1期
刘永进,杜建科,冯小强
(中国电子科技集团公司第四十五研究所,北京101601)
目前,在国外单晶圆兆声清洗技术已得到了较深入的研究[1]并在设备中已广泛应用。SSEC公司等单晶圆设备制造商都有自己专利的兆声喷头和比较成熟的清洗工艺,本多电子、BRANSON、SONOSYS、PROSYS等超声生产厂商也都有针对单晶圆清洗的兆声喷头产品。但是由于国内单晶圆清洗技术还处在起步阶段,对于晶圆的兆声清洗技术也还处于槽式批量清洗阶段,所以国内对于单晶圆的兆声清洗技术还是少有研究。
1 单晶圆兆声清洗技术的必要性
1.1 单晶圆清洗技术的必要性
随着300 mm圆片和90 nm工艺时期的到来,传统的批处理清洗技术在诸多工艺因素的驱动下已难以适应湿法清洗,制备工艺过程中需要引入新型的清洗工艺,以确保IC规格、性能指标及可靠性不因污染影响而下降。此外,湿法批处理技术也无法满足快速热处理工艺和CVD技术。基于此,驱使清洗设备向单片式发展的主要因素有:
·降低大直径圆片批处理中成品率损失的风险;
·批处理工艺中圆片传递的交叉污染;
·圆片的背面、斜面和边缘清洗的要求;
·减少薄膜材料的损失;
·化学机械抛光(CMP)后的刷洗技术;
·适用于多品种、小批量的产品。
为了满足上述要求,单圆片清洗技术得到了半导体业界更多的认同,目前众多的晶圆代工厂、超大规模集成电路(VLSI)和ULSI制造业都逐步倾向于引进单圆片湿法清洗技术,以降低批处理清洗中交叉污染的风险。……
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