成型方式对反应烧结碳化硅显微结构及强度的影响
2011-02-06武七德刘开松屠隆李娜
武七德 刘开松 屠隆 李娜
(武汉理工大学硅酸盐材料工程教育部重点实验室,湖北武汉430070)
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反应烧结碳化硅(RBSC)陶瓷的烧结温度低(1450℃~1500℃)、烧结时间短[1]、烧结体尺寸变化小,能获得无孔的致密陶瓷,是制备大尺寸、复杂形状SiC材料的有效的方法。研究表明,制备高性能的RBSC材料关键在于控制坯体微观结构的均匀性[2],它决定了烧结体内部缺陷的数量和大小,其中,游离硅的含量与尺寸是RBSC材料强度主要决定因素[3-6]。
S.Suyama[7]等采用1μm的SiC粉体,通过注浆成型工艺制备了坯体结构均匀的RBSC陶瓷,认为细粒径的SiC有利于获得细小且均匀分布的游离硅(fSi),fSi尺寸达到100nm时,强度达到1GPa。MatthiasWilhelm[5]等用压制成型(Pressure forming,PF)制备RBSC,认为粒径大于3μm的SiC颗粒不易制备高强度的RBSC,采用平均粒径为1.5μm的细颗粒SiC获得了强度为583MPa的RBSC材料。但当SiC粒径小于0.5μm时,烧结体中易出现较大的硅斑和硅线裂纹等缺陷。
国内外对凝胶浇注(Gel-casting,GC)成型工艺进行了大量的研究。聂丽芳[8]等采用4.5μm与29μm的SiC粉体级配,以GC成型制备了强度为475MPa的反应烧结碳化硅碳纤维复合材料;刘海林[9]等用3.8μm与43μm的SiC粉级配,GC成型制备的RBSC抗弯强度最高为367.69MPa。但以单一粒径的SiC细粉(<1μm)为原料,通过GC成型制备致密的RBSC却鲜有报道。本研究以0.8μm的SiC粉为原料,对比了GC成型和PF成型对RBSC陶瓷微观结构及性能的影响,分析了烧结体内缺陷产生的原因,获得了较高强度的RBSC陶瓷。
1 实验过程
实验原料:SiC,D50=0.8μm,纯度97.7%;炭黑的平均粒径为0.38μm,灰分含量≤200PPM。
PF成型:将炭黑与SiC粉按一定比例混合,加入2%硬脂酸锌为润滑剂,1%聚乙烯醇(PVA)为粘结剂,用行星球磨机湿混2h。……
