彭自求，王 军，袁 凯，蒋亚东

(电子科技大学光电信息学院， 电子薄膜与集成器件国家重点实验室，成都 610054)

微电子机械系统(MEMS)技术具有体积小、价格低廉、精度高、性能稳定、可靠性高、耗能低、多功能和智能化等优点，因而在众多领域中有着广泛的应用[1]。在MEMS器件的制备过程中，制作均匀性好、性能优越的金属电极，对器件性能的影响极大。

对于离子轰击难以刻蚀的金属材料，传统的电极图形的制备一般采用湿法腐蚀，即蒸镀、溅射金属薄膜，然后在金属上覆盖掩膜图形，再通过腐蚀液对金属进行腐蚀。但该方法不易控制，难以制备细线条且均匀性较好的金属电极，而且容易产生残留。而采用剥离技术来制作金属电极则不存在以上问题，有利于制备性能优异的器件。

目前，剥离技术主要有图形反转法、氯苯浸泡法、负性光刻胶法、多层掩膜剥离法等方法。但由于氯苯有毒，对人体有害，对设备要求极高[2]；负性光刻胶存在分辨率不高和溶胀问题[3]；多层掩模剥离法在常规的工艺和设备条件下难以应用[4]，所以图形反转法成为研究和应用的热点[5-8]。

正性光刻胶经紫外线照射后发生光化学反应，化学键断裂重组，曝光的区域会溶于显影液，未曝光的区域不溶，形成的图形与掩模版上图形相同。负性胶性质则相反，其得到的图形与掩模版上图形相反。而图形反转是利用光刻胶的特殊化学性质，用正性光刻胶来实现用负性光刻胶得到的光刻图形[9]。

利用AZ5214胶的图像反转性质，对形成倒台面图形的机理进行了分析和讨论，通过改变前曝光时间，反转烘温度和时间得到最佳的金属层剥离的倒台面光刻胶图案，最终得到了符合要求的电极线条。……