TSMC近日宣布推出0.18 μm 车用嵌入式闪存硅知识产权，是TSMC第二代符合AEC-Q100产品高规格认证之硅知识产权，适用于广泛的车用电子产品。

TSMC 0.18 μm 车用嵌入式闪存硅知识产权与0.25 μm 嵌入式闪存硅知识产权相较，减少了百分之二十七的芯片尺寸。现今0.18 μm 技术世代拥有已经大量开发的硅知识产权，并能支持多种应用，同时达到低成本与高效能的综效。运用TSMC获认证的0.18 μm 车用嵌入式闪存硅知识产权，客户能够将其目前的0.18 μm 产品范围延伸至车用微控制器（MCU）产品领域。

TSMC 0.18 μm 车用嵌入式闪存工艺已于去年开始量产，累计出货量已达三万八千片八寸晶圆，相当于四千三百万个车用微控制器(MCU)出货量。与之前0.25 μm 车用嵌入式闪存低于千万分之一的故障率纪录相较，目前为止0.18 μm 车用嵌入式闪存的平均故障率已达到更低的水准。藉由过去0.25 μm 车用嵌入式闪存的量产经验，0.18 μm 车用嵌入式闪存硅知识产权能在更短的时间内达到更低平均故障率的新纪录。

TSMC是市场上唯一提供符合汽车电子AEC-Q100认证之0.18及0.25 μm 车用嵌入式闪存硅知识产权给所有客户的专业集成电路制造服务业者。

（本刊通讯员）