赵敬忠　高积强　金志浩

摘要：在1450℃、N2气氛中制备出Si₃N₄多孔陶瓷预制体，然后采用两步法制备AlN基复合材料：第一步将熔融A1—10Si-5Mg合金分别在850℃和950℃的温度下，采用无压渗透技术渗透到预制体中形成陶瓷／金属复合材料；第二步对所得复合材料分别在1 200℃和1 300℃进行热处理．扫描电镜和X射线衍射分析结果表明：Al/Si₃N₄在850℃和950℃渗透期间已开始反应，只要有Si₃N₄存在，热处理对于消耗自由Al生成A1N和Si十分有效．关键词：氮化铝；浸渗反应；复合材料中图分类号：TB333文献标识码：A文章编号：0253—987X(2004)01—0108—03