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功率变换系统中滤波元件高介电常数材料的选择及其应用

2015-05-05王一丹李储君王世山

机械与电子 2015年4期
关键词:压片陶瓷材料介电常数

王一丹,李储君,宋 峥,王世山

(南京航空航天大学自动化学院,江苏 南京210007)

0 引言

电容器是电力电子器件中的重要元件,其容值的大小对设备的性能有显著影响。随着电力电子系统集成化、小型化的发展,电容器件的体积也越来越小。一般而言,电容值与所采用的介质材料、正负极间距离以及极板面积的大小有关。然而,由于工艺难度和击穿电压的限制,不能无限减小极板间距离;增大电容器极板面积,不利于元件的集成化。因此,高介电常数材料[1-2]的采用成为提高电容器容值的有效手段之一。

1 高介电常数材料的测试原理

一般而言,由介质组成的平行板电容器有电力线的边缘效应。但是,根据有限元仿真与解析解的对比,当介质的介电常数较高时,这种效应可以忽略不计。因此,由介质组成的平行板电容器电容为:

S为极板面积;d为两极板之间的距离,即介质的厚度;ε0为真空介电常数;εr为待测量介质的相对介电常数。

然而,介质组成的电容在测量时呈现阻抗特性,甚至还有对应的感性效应存在(图1)。

图1 介质电容模型

假设采用阻抗测试仪器测量获得介质模块的阻抗,在忽略感性效应的条件下,可以采用图1a的模型。取得阻抗虚部的负值X后,则有:

结合式(1),则待测介质的相对介电常数为:

2 高介电常数材料的制作

目前,高介电常数陶瓷材料的制备方法主要有溶胶-凝胶法(液相制备法的一种)、固相反应法和放电等离子SPS法等[3]。溶胶-凝胶法所使用的原料价格比较昂贵,有些原料为有机物,对健康有害,且所耗时间长,干燥后可能会因内部微孔气体逸出而收缩;放电等离子法则需要引进一套SPS设备。在固相法、熔盐法和半化学法等不同制备方法中,固相法制备的CCTO具有最高的介电常数而介电损耗最低,同时介电常数的温度稳定性良好[4]。因此,采用固相法进行制作。其具体制作步骤为[5-6]:

a.配料。对于CCTO,将碳酸钙(CaCO3)、氧化铜(CuO)和二氧化钛(TiO2)以1∶3∶4的摩尔比进行混合,以准备进行反应。

然而,对于单一化合物BaTiO3,则可以直接采用其粉末进行后续流程。

b.球磨。为使原料混合均匀,需要经过机械球磨数小时,球磨机可以起到均匀搅拌的作用,以形成稳定的陶瓷材料。表1为2种材料球磨的详细信息,其中的大、小球分别为直径6mm和3mm的氧化锆球。

表1 CCTO、BaTiO3球磨

c.烘干。将上述球磨混合得到的原料取出后,得到稠状的液体原料(CCTO或BaTiO3),不利于加工操作,所以要烘干以得到固体的陶瓷原料。把研磨球和原料分开,将原料加入容器盆中加盖烘干。

d.研磨。烘干后得到的是块状陶瓷材料,需要用研磨过筛的方式得到粉状原料。

e.混交造粒。因为粉末状的CCTO和BaTiO3陶瓷材料粘着性低,不适合直接压片,所以要进行混交造粒这一步,即在研磨后的粉末中加入适量的有机粘着剂。均匀造粒后,粉状的原料会呈现小颗粒,每个颗粒大小相当且具有一定粘性。这样,陶瓷材料便具有了粘性要求,即可进行压片。

f.研磨过筛。混交造粒后得到的CCTO或Ba-TiO3虽然具有粘性,但是颗粒状的,不能直接压片,否则薄片中会有许多空隙,所以对颗粒分别进行研磨过筛操作,以得到具有粘性的CCTO或BaTiO3粉末原料,这是满足压片要求的合格粉末。

g.压片。选择合适的压片模具,经取样、灌装、机压,最后烧结成型(图2)。表2为压片模具的尺寸。

表2 压片模具的尺寸

图2 成型的压片

3 典型高介电常数材料的特性

3.1 测量仪器

在测量时,采用阻抗分析仪Agilent4395A和16092型夹具,将陶瓷片看作平行板电容器,两面镀上导电银漆。测量0.15~30MHz时样品的阻抗值,通过仪器可直接得到随频率变化的电容值,并用Origin绘制其εr-f曲线。

3.2 Al2O3

三氧化二铝(Al2O3)陶瓷是一种以Al2O3为主要原料,以刚玉为主晶相的陶瓷材料。

从一批长为28.0mm、宽为22.0mm、厚为1 mm的Al2O3陶瓷片中,随即抽取3片作为样本(同批次的样品尺寸有微小误差),用上节的测试方法分别测量,得到其εr-f特性曲线如图3所示。

图3显示,Al2O3陶瓷的εr值在0.15~10 MHz时较为稳定(10~12),而在约超过10MHz时急剧减少。

图3 Al2O3介电常数频率特性

总体而言,Al2O3陶瓷介电常数具有较高的频率稳定性。然而,EMI滤波器一般要求的差模电容为nF数量级以上;若采用Al2O3,则需要很大的极板面积,这不符合电力电子的小型化要求,也给制造工艺带来很大的困难。

3.3 BaTiO3

BaTiO3是一种典型的铁电材料,具有良好的绝缘性,是制备多层陶瓷电容器(MLCC)的理想材料[7]。同Al2O3测试方法,介电常数的频率特性曲线如图4所示。

测试显示,BaTiO3的介电常数最大接近11 000。然而,其εr值在0.15~1MHz内迅速下降至2 000以下,可见BaTiO3的εr值在EMI滤波器要求的频率范围内稳定性较差,故在使用BaTiO3时应注意该特性。

图4 BaTiO3介电常数频率特性

3.4 CCTO

钛酸铜钙CaCuTi4O12,简称CCTO,因为具有高介电常数、高温度稳定性加之低损耗的优点,特别适合在大功率电气设备中使用。

如前方法,CCTO的频率特性曲线如图5所示。将阻抗分析仪放入恒温箱中测量,得到30~90℃的温度特性曲线如图6所示。

图5 CCTO介电常数的频率特性(27℃)

图6 CCTO介电常数的温度特性

图5 显示,室温下材料介电常数基本随频率的增大而减小,虽然在传导干扰上限30MHz时介电常数降低至1 000左右,但是仍然远高于目前的普通Al2O3;在10MHz时其值仍然为5 000以上,具有很好的应用价值。

图6显示,在0.15~2MHz范围内,以50℃时介电常数取得极小值,因此,元件的工作温度尽力避开该温度。

同时,采用控制变量法,选取了几片不同厚度的CCTO陶瓷片测试其介电特性(表3),以研究加工厚度对CCTO介电特性的影响。

表3 不同厚度CCTO样片的电容值及介电常数

可见,在同一频率、温度和样品横截面积等条件下,CCTO陶瓷片加工厚度对其介电常数有较大影响——随厚度的增大显著增大,进而影响到其电容值。在保证元件小型化的要求下,并不是介电常数越大越好,否则反而降低滤波器性能。

所以在材料的应用中,应注意寻找最优方案,在厚度和电容值中寻求平衡。

4 高介电常数材料的应用

为了验证所制作的高介电常数材料的正确性,以100W的开关电源电路为实验平台,分别将其应用于 平面 型 EMI滤 波 器[8-9]和 母 线 型 EMI滤波器[10]。

所需的EMI滤波器的基本参数如表4所示。由此分别完成平面EMI滤波器和母线型EMI滤波器设计,如图7所示。

表4 两级EMI滤波器共模电路基本参数

图7 EMI滤波器

在开关电源前分别接入两级平面EMI滤波器,对其做传导干扰测试,其结果如图8所示。测试显示,采用高介电常数材料制作的EMI滤波器,对电磁干扰起到很好的抑制作用。

图8 加入EMI滤波器测试

5 结束语

以陶瓷类高介电常数材料为研究对象,采用“合成”+“应用”的方法,对其介电常数特性以及在EMI滤波器效果展开研究,得到如下结论:

a.Al2O3虽然具有稳定的介电常数,但是由于数值较小,所以难以在电力电子的小型化、集成化的应用中有重要应用;而BaTiO3和CCTO具有很高的介电常数,但是稳定性较差,所以使用时一定要注意其使用的频率和温度。

b.将CCTO和BaTiO3制作为集成化的电容器,制作了平面型和母线型EMI滤波器,对变换器中的噪声有明显的抑制作用,拓展了2种材料在电力电子集成化中的应用。

[1] 邵天奇,任天令,李春晓,等.高介电常数材料在半导体存储器件中的应用[J].固体电子学研究与进展,2002,22(3):312-317.

[2] 毛金花.高介电常数 BaTiO3/Ni0.8Zn0.2Fe2O4复合材料的制备与研究[D].哈尔滨:哈尔滨工业大学,2007.

[3] Wang Hui,Li Shengtao,Lin Chunjiang,et al.Dielectric properties of CaCu3Ti4O12thick films[C]//2012IEEE 10th International Conference on the Properties and Applications of Dielectric Materials.Bangalore,India,2012.

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