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不同金属微粒缺陷下GIS盆式绝缘子表面放电与电场特性研究

2023-09-21沙伟燕罗艳马鹏欢亓亮

绝缘材料 2023年9期

沙伟燕, 罗艳, 马鹏欢, 亓亮

(国网宁夏电力有限公司电力科学研究院,宁夏 银川 750002)

0 引 言

气体绝缘组合电器(gas insulated switchgear,GIS)因其绝缘性能优良、占地面积小等优点,得到了广泛的应用[1-3],其中盆式绝缘子是在GIS中起着关键作用的固体绝缘体[4-5]。近年来,110 kV及以上等级GIS设备因内部存在做工缺陷等问题而引发的绝缘故障时有发生,其中由盆式绝缘子故障所引发的故障占35%,而由微粒和异物引发的绝缘子故障占盆式绝缘子总故障的71%[6]。因此,研究GIS盆式绝缘子的缺陷对减少其故障的发生具有重要意义。

金属微粒作为绝缘子最为常见的微粒缺陷,受到研究者的广泛关注[6-9]。文献[6]以252 kV盆式绝缘子为研究对象,研究不同典型缺陷模型的电场分布情况,分析了不同缺陷对电场的畸变情况,发现单金属颗粒缺陷附近的最大场强可达43.6 kV/mm,金属颗粒群缺陷附近的最大场强可达86.5 kV/mm。文献[7]研究发现了微金属颗粒诱发沿面闪络的现象,证明了金属颗粒对于GIS盆式绝缘子绝缘性能的危害。文献[8]通过分析发现,在其他条件相同的情况下,高压导体上金属异物所产生的畸变电场要比外壳侧高2~9倍;当异物在外壳内表面时,电场畸变对金属异物半径的灵敏度更大;而金属异物位于高压导体表面时,电场畸变对于金属异物半径和高度的灵敏度相当。文献[9]研究表明,在GIS中加入屏蔽后,盆式绝缘子凹面和凸面电场强度有所降低,有金属颗粒缺陷时,电场强度比无缺陷时更大。

此外,金属微粒缺陷可能导致附近的电场畸变,畸变的电场可能成为局部放电或击穿失效的主要原因。……

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