○文 袁惠

日前，苏州工业园区科技领军人才企业——度亘激光技术（苏州）有限公司“光电子产业研讨会暨通信级高功率单模980nm半导体激光芯片与泵浦模块产品发布会”在园区举行。

MADE IN CHINA，实现全自主可控国产化

“MADE IN CHINA，这是我们比较自豪的，真正实现了从芯片到器件、到模块的全自主可控的国产化”， 手握着一款国产激光芯片制成的泵浦模块，度亘激光副董事长、CTO杨国文抑制不住地激动。这是他们团队辛苦奋战3年的成果。

全光网络是大容量光通信的基础，作为实现全光网络的关键部件，掺铒光纤放大器（EDFA）可以进行光信号的直接放大，是光通信领域的里程碑式成果，而单模980nm激光芯片和泵浦模块则是EDFA的核心关键器件与心脏，该成果的规模量产解决了我国光通信核心激光芯片及器件长期依赖进口的问题，对于国家通信及国防安全具有重要意义。

“小芯片，大作用。0.5毫米长，0.4毫米宽，厚度也是0.1毫米，小小的芯片要承受1瓦以上的功率，结构是比较复杂的。要制造这样一个芯片，牵涉到上百项工艺环节”，杨国文告诉记者，由于该芯片与器件需要极高的性能和超过25年以上的使用寿命，至今国际上只有3家供应商可以生产。为了突破这一工艺技术，有着32年行业经验的杨国文带领多个成员分工协作，建立了芯片设计、高质量外延材料、芯片工艺制备、可靠性测试等多个小组，突破了3大技术瓶颈，打通了10项重要的工艺环节。

作为园区重点培育的创新型半导体企业，度亘激光自成立以来，始终致力于高端激光芯片的研发制造，核心产品性能指标国际领先。去年十月，度亘总部研发中心在园区落成启用，现在公司又顺利迎来创新产品的隆重发布，充分体现了度亘激光服务科技自立自强的责任担当，也将为园区半导体产业创新发展注入强劲动力。

在光电子产业研讨上，多位专家院士、企业高管齐聚一堂，共同探讨光通信核心激光芯片及器件的创新未来。

致力于高端激光芯片研发制造

度亘激光成立5年来，一直致力于高端激光芯片的研发制造，瞄准通信级高功率单模980nm激光芯片和泵浦模块，攻克了多项核心技术，如高功率单模输出和高电光转换效率，超高功率密度导致的灾变性光学腔面损伤，极高电流密度和极高功率密度工作条件下的极高可靠性等。突破了芯片和模块研制过程中IDM体系的诸多关键技术和工艺，实现了从芯片设计、材料外延、芯片到模块的全制程完全自主可控，成功开发了高功率、高效率和高可靠性单模半导体激光芯片与模块的系列产品，并通过了Telcordia GR-468-CORE通信标准验证。

在工业高功率芯片和器件方面公司也取得了巨大进展，产品广泛应用于工业加工、智能感知、光通讯、医疗美容和科学研究领域，公司荣获中国潜在独角兽、江苏省企业技术中心、苏州市高端半导体激光芯片工程技术研究中心、苏州市独角兽培育企业等数十项荣誉。

完善产业体系，助力企业加速成长

布局光电子产业，抢占光电子产业“制高点”，苏州工业园区进一步完善产业体系，为战略性新兴产业提供强大基础。作为重点打造的光电子产业创新集群，园区目前引进和孵化相关企业近300家，2021年实现产值421亿元。

在核心技术方面：经过多年培育，园区在GaN衬底外延材料、半导体激光切割设备等多个领域已形成先发优势，多个细分领域填补了国内空白，进一步完善了我国光电领域关键核心技术的创新链。光电材料方面，MO源、光刻胶等一批关键材料打破国外垄断，从源头上解决“卡脖子”难题；光电器件方面，400G光模块技术国际领先，市场占有率全球第一；光电设备方面，全球首发大型紫外3D直写光刻设备等高端设备，广泛应用在半导体领域，实现国产化替代。

在创新载体方面：园区先后引进了中科院苏州纳米所、中科苏州微电子产业技术研究院、长三角中科先进光电技术研究所等重大创新载体，围绕光电材料和器件持续开展关键技术攻关，为产业发展提供源头技术供给。国家第三代半导体技术创新中心苏州平台目前围绕第三代半导体材料在半导体照明、新型显示领域的“双碳”目标方向，在氮化镓单晶、Micro-LED显示等技术领域取得重要突破。

下一步，园区将继续秉持亲商服务理念，不断提升政策体系、人才供给、产业生态，大力推动“产、学、研、资、介、银”全面融合对接，营造技术创新、产业创新、协同创新齐头并进的良好局面，助力企业加速成长。