王春富 ,黎俊宇 ,李彦睿 ,王文博 ,张 健 ,秦跃利 ,钟朝位

(1.中国电子科技集团公司第二十九研究所,四川 成都 610036;2.中国移动通信集团海南有限公司,海南 海口 570000;3.电子科技大学,四川 成都 610054)

现代信息通信技术,要求实现电子系统中关键组成器件的小型化、轻量化以满足应用需求。高介薄型陶瓷芯片电容具有尺寸小、损耗小、容量大、温度稳定性好等特点,其在元器件表面贴装技术和微电子电路中发挥着越来越重要的作用[1-2]。

高介薄型陶瓷芯片电容的制备主要有三个关键的工艺环节,一是高介陶瓷介质基片的制备,陶瓷介质基片的特性与最终电容器表面微观形貌、电阻性能和介电性能密切相关;二是陶瓷介质基片表面的金属电极制备,也称薄膜金属化工艺,金属化工艺直接影响电容器电极的性能,对电容器性能影响非常大[1-3];最后是电容器件的精密切割,由于高介薄型陶瓷电容器基片薄、晶粒粗、脆性强,易出现碎裂、飞晶、卷边、毛刺等严重影响器件质量的现象。针对高介薄型陶瓷芯片电容的三个关键工艺环节,作者在前面的工作中已经报道了不同成型工艺对陶瓷芯片电容性能的影响[4],而本文将针对金属化工艺和电容器精密切割工艺对薄型陶瓷芯片电容性能的影响进行系统研究。

金属化工艺中,高介薄型陶瓷芯片电容的电极一般采用薄膜工艺制备,为了防止电容电极中的金属离子在电压的作用下迁移至介质内部产生漏……