陈锁斌，杨 辉，陆 伟，陈嘉庚

（1.新疆众和股份有限公司，新疆 乌鲁木齐 830023；2.新疆铝基电子材料工程技术研究中心，新疆 乌鲁木齐 830013）

对电解电容器铝箔进行电化学腐蚀是获得高比容铝电解电容器的关键技术之一。低压电解电容器铝箔需要借助交流腐蚀以形成高密度、均匀分布的微细蚀坑。利用铝箔在HCI溶液中的点蚀而进行的交流电蚀工程，可大幅度地提高铝电极的比表面积，是铝电解电容器实现小型化、高性能化与片式化的关键技术。目前，铝箔经交流电化学腐蚀后，其真实表面积被扩大一百多倍，但距理论极限扩面倍率还很远[1]，工艺瓶颈难以突破[2]。铝箔在单一HCl溶液中的点蚀所形成蚀孔层单薄，表面剥离严重，不能形成具有高比表面积的海绵层或虫蛀层，工程实用价值不大。H2SO4、HNO3等缓蚀剂是得到优质海绵层(或虫蛀层)的必要电蚀添加剂。

本文作者引入硫酸、草酸、A溶液等添加剂提高21vf低压腐蚀箔的比电容。

1 实验

1.1 主要材料及试剂

低压104μm硬态光箔，盐酸（精制）、氯化铝（分析纯）、硫酸（工业级）、草酸（工业级）、A物质（分析纯）等。

1.2 仪器

ZJ2817精密LCR数字电桥，南通大公电子TV-1000C铝箔特性智能测试仪，德国Zeiss EV050型SEM扫描电镜仪，扬州双鸿精密线性高压直流稳压稳流智能电源，爱克赛50HZ可调变流电源。

1.3 工艺流程

腐蚀：前处理→一次加电腐蚀→中处理→二次加电腐蚀→后处理1→后处理2→热处理。

1.4 试验方法

铝箔样片采用低压104μm硬态光箔，面积9cm×10cm，经常规碱洗，水洗，硝酸洗等工序，在恒定的电流密度、温度、腐蚀时间下，介质用盐酸和氯化铝配制，通过调整二次腐蚀液的不同添加剂，在静态腐蚀槽中进行交流腐蚀[3]。……