一种低杂散低相噪频率源的设计与实现
2022-07-21程建斌钟耀霞
电子技术应用 2022年7期
程建斌 ,钟耀霞
(1.中科芯集成电路有限公司,江苏 无锡 214072;2.电子科技大学成都学院,四川 成都 611731)
0 引言
随着微波通信技术的快速发展,对接收机的灵敏度要求越来越高,作为各类接收机的心脏,频率源需要为其提供高性能的本振信号,它的相位噪声指标成为制约接收机性能的关键因素之一。为了改善频率源的相噪,国内外很多公司和科研机构开展了很多这方面的研究,也提出了各种有效的方法。这些方法有的从构成锁相环的相位噪声来源直接分析[1-2],更多的从实现方式来分析,包括新型直接合成[3]、DDS 和锁相环芯片混合技术[4]、自偏置[5]、谐波混频[6]、新型多级自谐波混频[7]和级联式偏置[8]、混频环[9]等。这些方法要么采用直接合成,方案复杂且体积大;要么是针对宽带低相噪系统的,方案实现起来比较复杂,而且价格高,面对一些特殊的应用会造成系统的复杂度提高。基于某些特定应用环境,本文设计了一种可用于频率间隔固定的低相噪频率源,利用最新的低相噪合成器芯片,同时采用谐波发生器产生低相噪的固定射频信号来参与混频,最终降低频率源的反馈分频比的方法来改善相噪。对采用该方法设计的频率源的相噪指标进行了测试,经过对比测试指标和理论指标,证明该设计方法符合要求,可以在满足特定要求的场合使用。
1 工作原理
低相噪频率源的设计指标为:工作频率13.75 GHz~16.25 GHz(不包含15 GHz),步进250 MHz,相噪优于-102 dBc/Hz@1kHz,杂散优于65 dB。
该频率源的特点在于相噪指标比较高同时要求成本不能高,输出频点不多且步进大。……
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