科学导报讯 记者王小静 2月28日，记者从中国电子科技集团公司第二研究所获悉，该所成功研制出山西省首片碳化硅芯片。

据了解，作为新一代雷达、卫星通讯、高压输变电、轨道交通、电动汽车、通讯基站等重要领域的核心材料，碳化硅在航天、军工、核能等极端环境应用领域有着不可替代的优势。因碳化硅具备高禁带宽度、高热导率、高击穿场强、高电子饱和漂移速率等优点，更适合开發具有耐高温、高功率、高压、高频以及抗辐射等优势的功率半导体器件，可有效突破传统硅基材料的物理极限，已成为我国重点发展的战略性先进半导体。

事实上，碳化硅单晶的制备一直是全球性难题，而高稳定性的长晶工艺技术是其核心。如今，这一“心脏技术”只有少数发达国家掌握在手，极少数企业能够实现商业化量产。自2007年，中国电科二所便着手布局碳化硅单晶衬底材料的研制规划，依靠自身在电子专用设备研发领域的技术优势，潜心钻研着碳化硅单晶生长炉的研制。经过多年的不懈努力，全面掌握了高纯碳化硅粉料制备工艺、4英寸高纯半绝缘碳化硅单晶衬底的制备工艺，形成了从碳化硅粉料制备、晶体生长、晶片加工、外延验证等整套碳化硅材料研制线，在国内最早实现了高纯碳化硅材料、高纯半绝缘芯片量产。