王立乾，胡忠强，关蒙萌，吴金根，仙 丹，王琛英，毛 琦，王志广，周子尧，田 边，蒋庄德，刘 明

(1.西安交通大学电子科学与工程学院，电子陶瓷与器件教育部重点实验室与国际电介质研究中心，陕西西安 710049；2.西安交通大学高端制造装备协同创新中心，陕西西安 710049；3.西安交通大学微纳制造与测试技术国际合作联合实验室，陕西西安 710049)

0 引言

磁传感器能够感知与磁现象有关的物理量的变化，将其转换为电信号输出，从而直接或间接地探测磁场大小、方向、电流等信息量，被广泛应用于汽车、导航、生命医学等多种领域[1-2]。从霍尔、磁通门传感器、各类磁阻传感器到光泵磁强计和超导量子干涉仪，磁传感器种类繁多，其灵敏度、适用范围也千差万别。随着信息技术的发展和物联网时代的到来，磁传感器在电力计量、无损探测、便携式生物检测等新兴交叉领域的需求越来越大，对磁传感器的体积、质量、功耗等性能提出了更高的要求。基于巨磁阻效应(giant magnetoresistance，GMR)的磁阻传感器，相比第一代的各项异性磁阻传感器和传统的霍尔等传感器，具有灵敏度高、体积小、热稳定性好、探测范围广等优点，而相比第三代隧穿磁阻传感器，GMR磁传感器又具有较好的CMOS兼容性和更简单的工艺结构，在传感器市场中占有的份额越来越高[3]。

经过三十多年的发展，GMR磁传感器已经获得了广泛应用，例如在汽车、航空等行业中，进行罗盘定位[4]、检测发动机转子方位[5]等；在电力系统中，进行电流大小检测及设计反馈式控制电路；……